[发明专利]二步骤化学机械抛光

权利要求书

1.一种方法，包括：

在一半导体基板上提供二结构，所述二结构之间具有一间隔；

在所述二结构上及所述间隔内提供共形的一第一层；

在所述第一层上沉积共形的一保护层；

平坦化所述保护层，直到所述第一层的顶面暴露；以及

平坦化所述第一层及所述保护层，直到所述二结构的顶面暴露，并且所述保护层的一部分位于所述二结构之间。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述间隔的宽度约大于50微米，且高度在约0.05微米到约0.5微米之间。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一层由从硅、钨、氧化硅、铝、铜及电介质所构成的族群中选出的材料构成。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述保护层由从二氧化硅、氮化物、氮氧化合物、钛化钨、硅、氧化钽及以物理气相沉积方式所形成的金属所组成的族群中选出的材料构成。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一层由非晶硅或多晶硅构成，且所述保护层由二氧化硅、氮化硅或氮氧化合物构成。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述第一层由钨构成，且所述保护层由氮氧化合物、氮化硅、钛化钨、非晶硅或多晶硅构成。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述第一层由氧化硅构成，且所述保护层由氮化物或多晶硅构成。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述第一层由铝构成，且所述保护层由二氧化硅、氮化硅或氮氧化合物构成。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述第一层由铜构成，且所述保护层由氧化钽构成。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述第一层由低介电系数的介电质构成，且所述保护层由以物理气相沉积方式所形成的金属构成。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述保护层的厚度约小于0.05微米。

12.如权利要求1所述的方法，其中通过利用高选择性浆料的化学机械平坦化来进行所述平坦化步骤。

13.如权利要求1所述的方法，还包括使用化学蚀刻剂来移除所述保护层的所述部分。

14.一种方法，可包括：

提供一基板；

在所述基板上提供一低密度图案区，所述低密度图案区包括至少二结构，所述二结构之间隔约大于50微米；

在所述基板上提供一高密度图案区，所述高密度图案区包括至少二结构，所述二结构之间隔约小于0.2微米；

在所述低密度图案区及所述高密度图案区上提供共形的一第一层；

在所述第一层上沉积共形的一保护层；

平坦化所述保护层，直到所述第一层的顶面暴露；以及

平坦化所述第一层及所述保护层，直到所述低密度图案区及所述高密度图案区的所述结构的顶面暴露，并且所述保护层的一部分位于所述低密度图案区的所述至少二结构之间。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述第一层由从硅、钨、氧化硅、铝、铜及介电质所组成的族群中选择的材料构成。

16.如权利要求14所述的方法，其中所述保护层由从二氧化硅、氮化物、氮氧化合物、钛化钨、硅、氧化钽及以物理气相沉积方式所形成的金属所组成的族群中选择的材料构成。

17.如权利要求14所述的方法，其中所述第一层由非晶硅或多晶硅构成，且所述保护层由二氧化硅、氮化硅或氮氧化合物构成。

18.如权利要求14所述的方法，其中所述第一层由钨构成，且所述保护层由氮氧化合物、氮化硅、钛化钨、非晶硅或多晶硅构成。

19.如权利要求14所述的方法，其中所述第一层由氧化硅构成，且所述保护层由氮化物或多晶硅构成。

20.如权利要求14所述的方法，其中所述第一层由铝构成，且所述保护层由二氧化硅、氮化硅或氮氧化合物构成。

21.如权利要求14所述的方法，其中所述第一层由铜构成，且所述保护层由氧化钽构成。