[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200810097711.X | 申请日： | 2008-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN101339924A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 时藤俊一 | 申请（专利权）人： | 冲电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 雒运朴;李伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有更高应力耐性的密封环构造的半导体器件。其具有：包括多个半导体元件的半导体层、设置在半导体层之上的绝缘膜、贯通绝缘膜并包围整个半导体元件的筒状体，筒状体具有：在其周向分别相互分离并且平行的多个筒状插塞、与各筒状插塞相交叉的多个壁部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，具有：包括多个半导体元件的半导体层、设置在上述半导体层上的绝缘膜、贯通上述绝缘膜并且包围整个上述半导体元件的筒状体，其特征在于，上述筒状体具有：在其周向分别相互分离并且平行的多个筒状插塞、以及与各上述筒状插塞交叉的多个壁部。
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