[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，具有：包括多个半导体元件的半导体层、设 置在上述半导体层上的绝缘膜、贯通上述绝缘膜并且包围整个上述半导 体元件的筒状体，其特征在于，

上述筒状体包含第一密封插塞和第二密封插塞，

所述第一密封插塞包括隔着所述绝缘膜中的第一绝缘膜在横向上 相互分离的第一筒状插塞和第二筒状插塞、以及与所述第一筒状插塞和 第二筒状插塞相互交叉的多个壁部，且在所述第一绝缘膜内以平行的方 式配置的所述第一筒状插塞和所述第二筒状插塞与第一密封布线垂直 交叉且电气连接；以及

所述第二密封插塞包括隔着所述绝缘膜中的第二绝缘膜在横向上 相互分离的第三筒状插塞和第四筒状插塞、以及与所述第三筒状插塞和 第四筒状插塞相互交叉的多个壁部，且在所述第二绝缘膜内以平行的方 式配置的所述第三筒状插塞和所述第四筒状插塞与第二密封布线垂直 交叉且电气连接，所述第一绝缘膜隔着所述第二密封布线与所述第二绝 缘膜垂直地分离，

所述第一密封插塞、所述第一密封布线、所述第二密封插塞、所述 第二密封布线按此顺序层叠。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

上述壁部分别和上述筒状插塞正交。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

各上述壁部是沿上述筒状体的周向等间隔地设置的。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

各上述壁部在斜向右的方向和斜向左的方向上交替地与上述筒状 插塞相交叉。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

在上述绝缘膜内具有金属布线，该金属布线与上述半导体元件中的 至少一个连接，至少由一层构成；

上述筒状体由与上述金属布线相同的金属材料构成。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，

上述筒状体由铜构成。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，

上述金属布线在上述绝缘膜内形成于相互分离的多个层，并具有对 相互邻接的上层布线和下层布线进行连接的通孔插塞；

上述筒状插塞和上述壁部，设置在与上述通孔插塞相同的深度位 置。

8.根据权利要求1至7任意一项所述的半导体器件，其特征在于，

上述绝缘膜包括相对介电常数在3以下的低介电常数膜。