[发明专利]减少镀膜的缺陷数的制造半导体器件的方法

摘要

提供了一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括执行电镀步骤，以填充形成在衬底上的凹陷。所述电镀步骤还包括：执行第一电镀步骤；执行第一反向偏置步骤；执行第二电镀步骤；执行第二反向偏置步骤；以及第三电镀步骤。所述第一和第二反向偏置步骤的极性与所述第一电镀步骤的极性不同。第三电流密度和第四电流密度之间的差大于第一电流密度和第二电流密度之间的差。

主权项

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：在具有第一凹陷和第二凹陷的衬底上形成籽晶层，所述第二凹陷的宽度宽于所述第一凹陷的宽度；以及执行电镀步骤，以通过用所述籽晶层作为阴极使用包括促进剂和抑制剂的镀液填充所述凹陷，其中，形成所述电镀步骤还包括：执行第一电镀步骤：以第一电流密度通过电镀填充所述第一凹陷；执行第一反向偏置步骤：在所述第一凹陷的填充完成之后，以第二电流密度施加与在所述第一电镀步骤中使用的电流具有不同极性的电流；执行第二电镀步骤：以与所述第一电镀步骤中使用的电流相同极性的第三电流密度电镀；执行第二反向偏置步骤：以第四电流密度，施加与在所述第一反向偏置步骤中使用的电流具有相同极性的电流；以及执行第三电镀步骤：以与所述第一电镀步骤中使用的电流相同极性的第五电流密度电镀，其中，所述第三电流密度和所述第四电流密度之间的差大于所述第一电流密度和所述第二电流密度之间的差。