[发明专利]减少镀膜的缺陷数的制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

在具有第一凹陷和第二凹陷的衬底上形成籽晶层，所述第二凹陷 的宽度宽于所述第一凹陷的宽度；以及

执行电镀步骤，以通过用所述籽晶层作为阴极使用包括促进剂和 抑制剂的镀液填充所述凹陷，

其中，形成所述电镀步骤还包括：

执行第一电镀步骤：以第一电流密度通过电镀填充所述第一凹陷；

执行第一反向偏置步骤：在所述第一凹陷的填充完成之后，以第 二电流密度施加与在所述第一电镀步骤中使用的电流具有不同极性的 电流；

执行第二电镀步骤：以与所述第一电镀步骤中使用的电流相同极 性的第三电流密度电镀；在所述第二电镀步骤中的所述第三电流密度 大于在所述第一电镀步骤中的所述第一电流密度；

执行第二反向偏置步骤：以第四电流密度，施加与在所述第一反 向偏置步骤中使用的电流具有相同极性的电流；以及

执行第三电镀步骤：以与所述第一电镀步骤中使用的电流相同极 性的第五电流密度电镀，

其中，所述第三电流密度和所述第四电流密度之间的差大于所述 第一电流密度和所述第二电流密度之间的差，并且

其中，在执行所述第二反向偏置步骤中，所述电镀液中的所述促 进剂被分解。

2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，在 所述第二反向偏置步骤中的所述第四电流密度等于在所述第一反向偏 置步骤中的所述第二电流密度，并且在所述第二反向偏置步骤中的施 加时间等于在所述第一反向偏置步骤中的施加时间。

3.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，在 所述第二电镀步骤中的所述第三电流密度等于在所述第三电镀步骤中 的所述第五电流密度。

4.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，在 所述第二反向偏置步骤中的所述第四电流密度处在-4A/dm²至-1 A/dm²之间，包括端值在内，

并且其中，从阳极流向所述阴极的电流方向被定义为正方向。

5.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，在 所述第二电镀步骤中的电流的极性被不间断地反相成在所述第二反向 偏置步骤中的电流的极性以免存在电流值稳定地变为零的时间，并且 在所述第二反向偏置步骤中的电流的极性被不间断地反相成所述第三 电镀步骤中的电流的极性以免存在电流值稳定地变为零的时间。

6.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，当 镀层厚度比预期厚度薄10至200nm时，所述第二电镀步骤完成，接下 来执行所述第二反向偏置步骤，并且在所述第二反向偏置步骤，所述 第四电流密度处在-4A/dm²至-1A/dm²之间，包括端值在内，并且施加 电流0.1秒至5秒，包括端值在内，

并且其中，从阳极流向阴极的电流方向被定义为正方向。

7.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所 述促进剂含有有机磺酸盐。

8.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，在 所述第二反向偏置步骤中的积分电流量的绝对值大于在所述第一反向 偏置步骤中的积分电流量的绝对值。

9.根据权利要求8所述的用于制造半导体器件的方法，其中，在 所述第二反向偏置步骤中的第四电流密度的绝对值大于在所述第一反 向偏置步骤中的第二电流密度的绝对值。

10.根据权利要求8所述的用于制造半导体器件的方法，其中， 在所述第二反向偏置步骤中的所述第四电流密度的绝对值大于在所述 第一反向偏置步骤中的所述第二电流密度的绝对值，并且用于所述第 二反向偏置步骤的施加时间比用于所述第一反向偏置步骤的施加时间 长。