[发明专利]具有金属接触层的功率半导体基片及其制造方法有效
| 申请号： | 200810096735.3 | 申请日： | 2008-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101304012A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | C·格布尔;H·布拉姆尔 | 申请（专利权）人： | 塞米克朗电子有限及两合公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/498;H01L23/15;H01L21/48;H01B1/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 沈英莹 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明描述一种功率半导体基片，包括一绝缘的面状的基体、至少一个印制导线和至少一个作为该印制导线的部分的接触面，其中在该接触面上借助于金属材料的加压烧结连接设置一材料层。配属的方法具有以下主要的步骤：制造一功率半导体基片，其包括一面状的绝缘的基体、印制导线和接触面；将一由一金属材料和一溶剂制成的膏状层设置在功率半导体基片的至少一个接触面上；对膏状层施加压力。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 接触 功率 半导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.功率半导体基片(10)，包括一绝缘的面状的基体(12)、至少一个印制导线(16)和至少一个作为该印制导线(16)的部分的接触面(162)，其中，在该接触面(162)上借助于金属材料的加压烧结连接设置一材料层(20)。
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