[发明专利]具有金属接触层的功率半导体基片及其制造方法有效

申请号：	200810096735.3	申请日：	2008-05-09
公开（公告）号：	CN101304012A	公开（公告）日：	2008-11-12
发明（设计）人：	C·格布尔;H·布拉姆尔	申请（专利权）人：	塞米克朗电子有限及两合公司
主分类号：	H01L23/48	分类号：	H01L23/48;H01L23/498;H01L23/15;H01L21/48;H01B1/02
代理公司：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人：	沈英莹
地址：	德国***	国省代码：	德国;DE
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摘要：
搜索关键词：	具有金属接触功率半导体及其制造方法
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【权利要求书】：

1.功率半导体基片(10)，包括一绝缘的面状的基体(12)、至少一个印制导线(16)和至少一个作为该印制导线(16)的部分的接触面(162)，其中，在该接触面(162)上设置一金属材料层(20)，该金属材料层借助于对由金属材料和溶剂制成的膏状层施加压力而制成，所述金属材料层用于与一接触弹簧压力接触，并且其中该金属材料层与该印制导线(16)连接，金属材料层(20)具有至少10μm的厚度。

2.按照权利要求1所述的功率半导体构件，其特征在于，金属材料具有一至少10微米的层厚和一贵金属多于90％的份量。

3.按照权利要求2所述的功率半导体构件，其特征在于，所述贵金属是银。

4.按照权利要求1所述的功率半导体构件，其特征在于，在接触面(162)与金属材料层(20)之间设置一贵金属的另一金属层(18)，所述另一金属层(18)具有几个原子层的层厚度。

5.用于制造一按照权利要求1所述的功率半导体基片(10)的方法，包括下列主要的步骤：

制造一功率半导体基片，该功率半导体基片包括一面状的绝缘的基体(12)、印制导线(16)和作为这些印制导线(16)的部分的接触面(162)；

将由金属材料和溶剂制成的膏状层设置在功率半导体基片(10) 的至少一个接触面(162)上，；

对膏状层施加压力(30)，从而形成具有至少10μm的厚度的金属材料层。

6.按照权利要求5所述的方法，其特征在于，借助于一丝网印刷方法涂覆膏状层。

7.按照权利要求5所述的方法，其特征在于，借助一压力机和两冲模施加压力(30)，其中至少一个冲模构成有一在其上设置的产生近似静压压力的硅酮垫。

8.按照权利要求5所述的方法，其特征在于，在施加压力(30) 时的最大的最终压力相当于至少8MPa。

9.按照权利要求5所述的方法，其特征在于，在施加压力(30) 的过程中将功率半导体基片(10)加热到大于350K。

10.按照权利要求5所述的方法，其特征在于，在施加压力(30) 之前用一薄膜(40)覆盖功率半导体基片(10)。