[发明专利]相变存储器装置

摘要

提供一种相变存储器装置，能不需进行核实动作，使电路构成、写入次序变简单，并且，能在以前的1位的存储器单元区域中写入2位。具有使用相变膜作为存储元件的存储器单元的相变存储器装置具有：形成于所述相变膜的一个面侧的第1相变区域；和在所述相变膜的其他面侧上与所述第1相变区域相对应的位置形成的第2相变区域，利用在所述第1相变区域及所述第2相变区域中的、基于非晶化的高电阻状态和基于结晶化的电阻值比所述高电阻状态低的低电阻状态的组合，来存储2位数据。

主权项

1.一种相变存储器装置，具有使用相变膜作为存储元件的存储器单元，其特征在于，具有：形成于所述相变膜的一个面侧的第1相变区域；和在所述相变膜的其他面侧上与所述第1相变区域相对应的位置形成的第2相变区域，在所述第1相变区域及所述第2相变区域上，利用基于非晶化的高电阻状态和基于结晶化的电阻值比所述高电阻状态低的低电阻状态的组合，来存储2位数据。