[发明专利]相变存储器装置

权利要求书

1.一种相变存储器装置，具有使用相变膜作为存储元件的存储器单元，其特征在于，

具有：形成于所述相变膜的一个面侧的第1相变区域；和

在所述相变膜的其他面侧上与所述第1相变区域相对应的位置形成的第2相变区域，

在所述第1相变区域及所述第2相变区域上，利用基于非晶化的高电阻状态和基于结晶化的电阻值比所述高电阻状态低的低电阻状态的组合，来存储2位数据。

2.根据权利要求1所述的相变存储器装置，其特征在于，

所述第1相变区域形成于所述相变膜和按照与所述相变膜的所述一面或该一面的凹部接触的方式配置的第1电极之间的接触面的附近，

所述第2相变区域形成于所述相变膜和按照与所述相变膜的所述另一面或该另一面的凹部接触的方式配置的第2电极之间的接触面的附近，

形成为所述第1电极和所述相变膜之间的所述接触面的面积与所述第2电极和所述相变膜之间的所述接触面的面积不同，

并且，共同电流经过构成所述存储器单元的晶体管而在所述第1电极及所述第2电极中流动。

3.根据权利要求2所述的相变存储器装置，其特征在于，

在所述第1电极的与所述相变膜接触的部分形成第1加热器，

在所述第2电极的与所述相变膜接触的部分形成第2加热器。

4.根据权利要求2所述的相变存储器装置，其特征在于，

构成为所述第1电极连接于形成所述存储器单元的位线的金属布线侧，

并且，所述第2电极连接于所述存储器单元的所述晶体管侧。

5.根据权利要求2所述的相变存储器装置，其特征在于，

所述第1相变区域形成为：利用经过所述第1电极而流动的第1电流电平Ireset1的电流，从所述高电阻状态转变到所述低电阻状态；利用经过所述第1电极而流动的第3电流电平Ireset3的电流，从所述低电阻状态转变到所述高电阻状态；

所述第2相变区域形成为：利用经过所述第2电极而流动的第2电流电平Ireset2的电流，从所述高电阻状态转变到所述低电阻状态；利用经过所述第2电极而流动的第4电流电平Ireset4(Ireset1＜Ireset2＜Ireset3＜Ireset4)，从所述低电阻状态转变到所述高电阻状态。

6.根据权利要求5所述的相变存储器装置，其特征在于，具备：

第1电阻值写入部件，为了将所述第1相变区域设定成所述高电阻状态，将所述第2相变区域设定成所述高电阻状态，在所述第1电极及所述第2电极中流动所述第4电流电平Ireset4的电流；

第2电阻值写入部件，为了将所述第1相变区域设定成所述低电阻状态，将所述第2相变区域设定成所述高电阻状态，在所述第1电极及所述第2电极中流动所述第4电流电平Ireset4的电流后，流动所述第1电流电平Ireset1的电流；

第3电阻值写入部件，为了将所述第1相变区域设定成所述低电阻状态，将所述第2相变区域设定成所述低电阻状态，在所述第1电极及所述第2电极中流动所述第4电流电平Ireset4的电流后，流动所述第2电流电平Ireset2的电流；和

第4电阻值写入部件，为了将所述第1相变区域设定成所述高电阻状态，将所述第2相变区域设定成所述低电阻状态，在所述第1电极及所述第2电极中流动所述第4电流电平Ireset4的电流后，流动所述第3电流电平Ireset3的电流。