[发明专利]高压半导体元件装置有效
| 申请号： | 200810095861.7 | 申请日： | 2008-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN101577291A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 蔡宏圣;林耿立;梁文嘉 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高压半导体元件装置，其包括一第一型掺杂半导体基底，及一第二型掺杂外延半导体于第一型掺杂半导体基底上。一第一型体掺杂区设置于第二型掺杂外延半导体中。一浓掺杂漏极区形成于第二型掺杂外延半导体中，且与第一型体掺杂区间隔以一隔离区和一沟道区。一第二型深浓掺杂区自该浓掺杂漏极区延伸至该第一型掺杂半导体基底。一对异型浓掺杂源极区设置于该第一型体掺杂区中以及一栅极设置于该沟道区上，其间隔以一栅极介电层，其中该高压半导体元件装置是以一第一型深浓掺杂区域隔离其他元件。该装置兼具垂直与水平双扩散晶体管的优点，通过二维和三维ReduceSurface Field结构，提升了崩溃电压，增进了晶体管耐压能力，达到了更佳的表面电场结果。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 半导体 元件 装置 | ||
【主权项】：
1.一种高压半导体元件装置，其特征在于，所述高压半导体元件装置包括：一第一型掺杂半导体基底；一第二型掺杂外延半导体于所述第一型掺杂半导体基底上；一第一型体掺杂区于所述第二型掺杂外延半导体中；一浓掺杂漏极区于所述第二型掺杂外延半导体中，且与所述第一型体掺杂区间隔以一隔离区和一沟道区；一第二型深浓掺杂区自所述浓掺杂漏极区延伸至所述第一型掺杂半导体基底；一对异型浓掺杂源极区设置于所述第一型体掺杂区中；以及一栅极设置于所述沟道区上，其间隔以一栅极介电层；其中所述高压半导体元件装置是以一第一型浓掺杂区域隔离其他元件。
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