[发明专利]高压半导体元件装置有效
| 申请号： | 200810095861.7 | 申请日： | 2008-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN101577291A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 蔡宏圣;林耿立;梁文嘉 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 半导体 元件 装置 | ||
1.一种高压半导体元件装置，其特征在于，所述高压半导体元件装置包括：
一第一型掺杂半导体基底；
一第二型掺杂外延半导体于所述第一型掺杂半导体基底上；
一第一型体掺杂区于所述第二型掺杂外延半导体中；
一浓掺杂漏极区于所述第二型掺杂外延半导体中，且与所述第一型体掺杂区间隔以一隔离区和一沟道区；
一第二浮置第一型掺杂区设置于所述第一型掺杂半导体基底中，相对所述浓掺杂漏极区的下方；
一第二型深浓掺杂区自所述浓掺杂漏极区延伸至所述第一型掺杂半导体基底；
一对异型浓掺杂源极区设置于所述第一型体掺杂区中；以及
一栅极设置于所述沟道区上，其间隔以一栅极介电层；
其中所述高压半导体元件装置是以一第一型浓掺杂区域隔离其他元件。
2.如权利要求1所述的高压半导体元件装置，其特征在于，所述高压半导体元件装置还包括一第二型浓掺杂埋藏区设置于所述第一型掺杂半导体基底与所述第二型掺杂外延半导体间。
3.如权利要求1所述的高压半导体元件装置，其特征在于，所述高压半导体元件装置还包括一第一浮置第一型掺杂区设置于所述隔离区下方，位于所述沟道区与所述浓掺杂漏极区之间。
4.如权利要求3所述的高压半导体元件装置，其特征在于，所述第一浮置第一型掺杂区用以阻障表面横向电流，且以二维型式降低表面电场。
5.如权利要求1所述的高压半导体元件装置，其特征在于，所述第二浮置第一型掺杂区用以三维型式降低表面电场。
6.如权利要求1所述的高压半导体元件装置，其特征在于，所述一对异型浓掺杂源极区包括一第一型浓掺杂源极与一第二型浓掺杂源极。
7.如权利要求6所述的高压半导体元件装置，其特征在于，所述高压半导体元件装置还包括一第一型深浓掺杂区自所述第一型浓掺杂区域延伸至所述第一型掺杂半导体基底。
8.如权利要求6所述的高压半导体元件装置，其特征在于，所述第一型浓掺杂源极的长度与所述浓掺杂漏极区的长度相同。
9.如权利要求6所述的高压半导体元件装置，其特征在于，所述第一型浓掺杂源极为一环形区域环绕所述浓掺杂漏极区。
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