[发明专利]半导体存储器系统及控制其非易失性存储器的操作的方法有效
| 申请号： | 200810095327.6 | 申请日： | 2008-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN101312068A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 徐熙权;孙汉求;金世振 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;罗延红 |
| 地址： | 韩国京畿道*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 示例实施例涉及一种可以包括共享公共总线的易失性存储器和非易失性存储器的半导体存储器系统以及用于控制非易失性存储器的操作的方法。所述半导体存储器系统可以包括非易失性存储器和存储器控制器。所述非易失性存储器可以包括临时存储将被从存储器单元阵列读取或将被写入存储器单元阵列的数据的缓冲存储器和内部控制器。所述存储器控制器可以响应于控制信号将模式信号传输到非易失性存储器，所述控制信号与将要施加到非易失性存储器的读取模式或写入模式对应。响应于模式信号，如果将要施加读取模式，则内部处理器可以控制将被读取的数据被存储在缓冲存储器中，如果将要施加写入模式，则内部控制器可以控制缓冲存储器等待直到接收到写入命令。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 系统 控制 非易失性存储器 操作 方法 | ||
【主权项】：
1、一种包括共享公共总线的易失性存储器和非易失性存储器的半导体存储器系统，所述系统包括：非易失性存储器，包括临时存储将被从存储器单元阵列读取或将被写入存储器单元阵列的数据的缓冲存储器和内部控制器；存储器控制器，响应于控制信号将模式信号传输到非易失性存储器，所述控制信号与将要施加到非易失性存储器的读取模式或写入模式对应，其中，如果响应于模式信号将要施加读取模式，则内部处理器控制将被读取的数据被存储在缓冲存储器中，如果响应于模式信号将要施加写入模式，则内部控制器控制缓冲存储器等待直到接收到写入命令。
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