[发明专利]半导体存储器系统及控制其非易失性存储器的操作的方法有效

专利信息
申请号: 200810095327.6 申请日: 2008-04-25
公开(公告)号: CN101312068A 公开(公告)日: 2008-11-26
发明(设计)人: 徐熙权;孙汉求;金世振 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人: 韩明星;罗延红
地址: 韩国京畿道*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储器 系统 控制 非易失性存储器 操作 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体存储器系统,所述半导体存储器系统包括存储器控制器以 及共享公共总线的易失性存储器和非易失性存储器,其中:

非易失性存储器包括临时存储将被从存储器单元阵列读取或将被写入存 储器单元阵列的数据的缓冲存储器和内部控制器;

存储器控制器响应于控制信号将模式信号传输到非易失性存储器,所述 控制信号与将要施加到非易失性存储器的读取模式或写入模式对应,其中, 如果响应于模式信号将要施加读取模式,则内部控制器控制在缓冲存储器中 存储将被读取的数据,如果响应于模式信号将要施加写入模式,则内部控制 器控制缓冲存储器等待直到接收到写入命令。

2.如权利要求1所述的半导体存储器系统,其中,存储器控制器响应于 控制信号经由非易失性存储器的保留的地址引脚来传输模式信号。

3.如权利要求2所述的半导体存储器系统,其中,模式信号包括依赖于 将要施加的是读取模式还是写入模式的不同的逻辑状态,模式信号被存储在 与保留的地址引脚对应的地址位中,内部控制器根据存储在地址位中的模式 信号的逻辑状态来控制缓冲存储器。

4.如权利要求1所述的半导体存储器系统,其中,模式信号与将要施加 到非易失性存储器的读取模式或写入模式对应。

5.如权利要求1所述的半导体存储器系统,其中,在存储器控制器将用 于指定将被激活的用于地址位的分配的行地址的激活命令传输到非易失性存 储器之前,存储器控制器将模式信号传输到非易失性存储器。

6.如权利要求1所述的半导体存储器系统,其中,非易失性存储器包括:

第一缓冲存储器,临时存储将被读取的数据;

第二缓冲存储器,临时存储将被写入的数据。

7.如权利要求6所述的半导体存储器系统,其中,如果将要施加的是读 取模式,则内部控制器控制在第一缓冲存储器中存储将被读取的数据;

如果施加写入模式,则内部控制器控制第二缓冲存储器等待直到接收到 写入命令,然后当接收到写入命令时控制在第二缓冲存储器中存储将被写入 的数据。

8.如权利要求6所述的半导体存储器系统,其中,如果响应于控制信号 将要施加的是读取模式,则在第一时间段之后,存储器控制器将读取命令传 输到非易失性存储器,如果响应于控制信号将要施加的是写入模式,则在第 二时间段之后,存储器控制器将写入命令传输到非易失性存储器,第一时间 段是将被读取的数据被存储在第一缓冲存储器中的时间段,第二时间段是将 被写入的数据等待被写入到第二缓冲存储器的等待时间段。

9.如权利要求8所述的半导体存储器系统,其中,第二时间段短于第一 时间段。

10.如权利要求1所述的半导体存储器系统,其中,如果将要施加的是 读取模式,则模式信号处于第一逻辑状态,如果将要施加的是写入模式,则 模式信号处于与第一逻辑状态不同的第二逻辑状态。

11.如权利要求1所述的半导体存储器系统,其中,如果将要施加的是 读取模式,则控制信号处于第一逻辑状态,如果将要施加的是写入模式,则 控制信号处于与第一逻辑状态不同的第二逻辑状态。

12.如权利要求1所述的半导体存储器系统,其中,易失性存储器为动 态随机存取存储器或静态随机存取存储器。

13.如权利要求1所述的半导体存储器系统,其中,非易失性存储器为 NOR闪速存储器、NAND闪速存储器或相变随机存取存储器。

14.如权利要求1所述的半导体存储器系统,其中,模式信号为模式寄 存器设置命令。

15.如权利要求14所述的半导体存储器系统,其中,如果将要施加到非 易失性存储器的是读取模式,则存储器控制器传输模式寄存器设置命令,如 果将要施加到非易失性存储器的是写入模式,则存储器控制器不传输模式寄 存器设置命令。

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