[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200810092627.9 | 申请日： | 2008-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101290934A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 堀越胜;内山久嘉;野间崇;关嘉则;山田紘士;石部真三;篠木裕之 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L23/485;H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种半导体装置，其在同一半导体装置内具备电容元件，以实现装置整体的小型化，且与现有的半导体装置相比具备大静电电容的电容元件。该半导体装置在半导体基板(2)的表面上形成有半导体集成电路(1)及焊盘电极(4)。在半导体基板(2)的侧面及背面上形成第二绝缘膜(10)，在半导体基板(2)的背面与第二绝缘膜(10)之间形成有与半导体基板(2)的背面接触的电容电极(9)。第二绝缘膜(10)由与焊盘电极(4)电连接的配线层(11)覆盖，配线层(11)和电容电极(9)这两者经由第二绝缘膜(10)重叠。因此，由电容电极(9)、第二绝缘膜(10)及配线层(11)形成电容(16)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；在所述半导体基板的表面形成的半导体集成电路；与所述半导体集成电路连接的焊盘电极；与所述半导体基板的背面接触而形成的电容电极；在所述半导体基板的侧面上及所述电容电极上形成的绝缘膜；与所述电容电极重叠形成于所述绝缘膜上、且与所述焊盘电极连接的配线层，由所述电容电极、所述绝缘膜、所述配线层形成电容。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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