[发明专利]具有金属硅化物的半导体结构及形成金属硅化物的方法无效
| 申请号： | 200810092291.6 | 申请日： | 2008-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN101562151A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 李秋德 | 申请（专利权）人： | 和舰科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/8242;H01L27/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈 亮 |
| 地址： | 215025江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出一种形成金属硅化物的方法。首先，提供一基底，此基底具有第一区域与第二区域，其中第一区域的基底的表面高于第二区域的基底的表面。接着，于第一区域与第二区域的基底上形成多个半导体元件，半导体元件包括多个导电部，且其上预定形成金属硅化物的导电部位于第一区域。随之，形成介电层，以覆盖位于第二区域的导电部。然后，于第一区域的导电部暴露的表面上形成金属硅化物。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属硅 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成金属硅化物的方法，包括：提供一基底，该基底具有一第一区域与一第二区域，其中该第一区域的该基底的表面高于该第二区域的该基底的表面；于该第一区域与该第二区域的该基底上形成多个半导体元件，该些半导体元件包括多个导电部，且其上预定形成一金属硅化物的该些导电部位于该第一区域；形成一介电层，以覆盖位于该第二区域的该些导电部；以及于该第一区域的该些导电部暴露的表面上形成该金属硅化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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