[发明专利]具有金属硅化物的半导体结构及形成金属硅化物的方法

权利要求书

1.一种形成金属硅化物的方法，包括：

提供一基底，该基底具有一第一区域与一第二区域，其中该第一区域的该 基底的表面高于该第二区域的该基底的表面；

于该第一区域与该第二区域的该基底上形成多个半导体元件，该些半导体 元件包括多个导电部，且其上预定形成一金属硅化物的该些导电部位于该第一 区域；

形成一介电层，以覆盖位于该第二区域的该些导电部；以及

于该第一区域的该些导电部暴露的表面上形成该金属硅化物。

2.如权利要求1所述的形成金属硅化物的方法，其特征在于，该金属硅 化物的形成方法包括：

于该基底上形成共形的一金属层，该金属层与位于该第一区域的该些导电 部相接触；

对该金属层进行一热制程，而使该金属层与该些导电部反应生成该金属硅 化物；以及

移除未反应的该金属层。

3.如权利要求2所述的形成金属硅化物的方法，其特征在于，该金属层 的材料为选自镍、钴、钛、铜、钼、钽、钨、铒、锆、铂、镒、钆、镝与该些 金属的合金所组成的群组。

4.如权利要求1所述的形成金属硅化物的方法，其特征在于，该些导电 部包括一栅极或一掺杂区。

5.如权利要求4所述的形成金属硅化物的方法，其特征在于，该半导体 元件为一存储器元件，且该存储器元件的该栅极形成于该第一区域，该存储器 元件的该掺杂区形成于该第二区域。

6.如权利要求4所述的形成金属硅化物的方法，其特征在于，该栅极的 材料包括掺杂多晶硅。

7.如权利要求1所述的形成金属硅化物的方法，其特征在于，该基底的 形成方法包括：

提供一半导体基底；以及

移除部分位于该第二区域的该半导体基底。

8.如权利要求7所述的形成金属硅化物的方法，其特征在于，移除部分 位于该第二区域的该半导体基底的方法更包括使用零层标记光掩模、对准标记 光掩模或井区植入光掩模。

9.如权利要求1所述的形成金属硅化物的方法，其特征在于，形成该介 电层的方法包括：

于该基底上形成一介电材料层；以及

移除位于该第一区域的介电材料层，以使该介电材料层覆盖位于该第二区 域的该些导电部。

10.如权利要求1所述的形成金属硅化物的方法，其特征在于，该介电层 的表面与该第一区域的该基底的表面等高。

11.如权利要求1所述的形成金属硅化物的方法，其特征在于，该介电层 的材料包括磷硅玻璃。

12.如权利要求1所述的形成金属硅化物的方法，其特征在于，该些半导 体元件包括存储器元件或逻辑元件。

13.一种具有金属硅化物的半导体结构，包括：

一基底，该基底具有一第一区域与一第二区域，其中该第一区域的该基底 的表面高于该第二区域的该基底的表面；

多个半导体元件，配置于该基底上，其中该些半导体元件包括多个导电部；

一介电层，配置于该第二区域的该基底上，该介电层覆盖位于该第二区域 的该些导电部；以及

一金属硅化物，配置于该第一区域的该些导电部上。

14.如权利要求13所述的具有金属硅化物的半导体结构，其特征在于，该 些导电部包括一栅极或一掺杂区。

15.如权利要求14所述的具有金属硅化物的半导体结构，其特征在于，该 半导体元件为一存储器元件，该存储器元件的该栅极配置于该第一区域，且该 存储器元件的该掺杂区配置于该第二区域。

16.如权利要求14所述的具有金属硅化物的半导体结构，其特征在于，该 栅极的材料包括掺杂多晶硅。