[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件可提供具有向上漏极的沟槽MOS晶体管。该半导体器件可包括：半导体衬底上的第一导电型阱、第一导电型阱上的第二导电型阱、通过除去部分的第二导电型阱上的第一导电型阱而形成的沟槽；设置于沟槽内的栅极，其中栅极介电质位于每个栅极与沟槽壁之间；位于第二导电型阱上的第一导电型源极区和第二导电型体区，第一导电型源极区围绕栅极的横向表面；以及位于栅极之间的共同漏极，共同漏极连接到第一导电型阱。本发明能够以低成本形成包括具有低输出阻抗和高频特性的沟槽MOS晶体管，采用小面积来获得低输出阻抗，并可高度集成半导体器件。

主权项

1、一种半导体器件，包括：第一导电型阱，位于半导体衬底内；第二导电型阱，位于所述第一导电型阱上；第一沟槽，穿过所述第二导电型阱和一部分的所述第一导电型阱；栅极，位于所述第一沟槽内，其中栅极电介质位于所述第一沟槽的壁与所述栅极之间；第一导电型源极区，位于所述第二导电型阱上并围绕所述栅极的横向表面；第二导电型体区，位于所述第二导电型阱上并围绕所述第一导电型源极区的横向表面；以及共同漏极，设置于所述栅极与至少一个相邻栅极之间，其中所述共同漏极连接到所述第一导电型阱。