[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一导电型阱，位于半导体衬底内；

第二导电型阱，位于所述第一导电型阱上；

第一沟槽，穿过所述第二导电型阱和一部分的所述第一导电型阱；

栅极，位于所述第一沟槽内，其中栅极电介质位于所述第一沟槽的壁与 所述栅极之间；

第一导电型源极区，位于所述第二导电型阱上并围绕所述栅极的横向表 面；

第二导电型体区，位于所述第二导电型阱上并围绕所述第一导电型源极 区的横向表面；

共同漏极，设置于所述栅极与至少一个相邻栅极之间，其中所述共同漏 极连接到所述第一导电型阱；

高浓度第一导电型埋层，位于所述第一导电型阱之下；以及

高浓度第一导电型插塞，位于所述共同漏极与所述第一导电型埋层之间，

其中所述共同漏极设置于第二沟槽内，其中所述第二沟槽穿过所述第二 导电型阱和一部分的所述第一导电型阱。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二沟槽的宽度范围为 所述第一沟槽的宽度的1.5到3倍。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：在所述第二沟槽内 的第一电介质，位于所述第二沟槽的侧壁与所述共同漏极之间。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

漏极多晶硅层，位于所述第二沟槽的侧壁上方；

第一电介质，位于所述第二沟槽内的所述第二沟槽的侧壁与所述漏极多 晶硅层之间；以及

第二电介质，位于第二沟槽内的所述漏极多晶硅层与所述共同漏极之间。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述栅极电介质和所述第一 电介质中的每一个包括热氧化层。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第二电介质包括氧化层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述共同漏极包括高浓度第 一导电型材料。

8.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：

在半导体衬底内顺序形成第一导电型阱和第二导电型阱；

在位于所述第一导电型阱之下的所述半导体衬底内形成高浓度第一导电 型埋层；

通过除去一部分的所述第二导电型阱和设于该部分的所述第二导电型阱 下的部分所述第一导电型阱，而形成多个第一沟槽；

通过除去一部分的所述第二导电型阱和设于该部分的所述第二导电型阱 下的部分所述第一导电型阱，在所述第一沟槽之间形成第二沟槽；

在每一个所述第一沟槽内形成栅极；

在所述第一导电型阱内形成高浓度第一导电型插塞，以连接所述第一导 电型埋层与共同漏极；

在所述第二沟槽内形成位于所述第一导电型插塞上的共同漏极；以及

在所述栅极与所述共同漏极之间的所述第二导电型阱上，形成第一导电 型源极区和第二导电型体区。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第二沟槽的宽度大于每个所述 第一沟槽的宽度。

10.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述栅极的步骤包括以下步 骤：

在所述第一沟槽内形成栅极电介质；

在所述栅极电介质上形成多晶硅层；以及

将第一导电型杂质离子注入所述多晶硅层以形成栅极电极。

11.根据权利要求8所述的方法，

其中形成所述共同漏极的步骤包括以下步骤：

在所述第二沟槽内形成第一电介质；

除去部分的第一电介质以暴露所述第二沟槽的底表面；

通过将第一导电型杂质离子注入所述第二沟槽的被暴露的底表面形成所 述第一导电型插塞，以连接所述第一导电型埋层；以及

在所述第二沟槽内沉积第一导电型多晶硅层。