[发明专利]半导体膜的制造方法和光敏元件的制造方法有效
| 申请号： | 200810091254.3 | 申请日： | 2008-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN101295639A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 寺川朗;浅海利夫 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L31/20;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供能够抑制催化线的温度的控制变得困难的半导体膜的制造方法和光敏元件的制造方法。该半导体膜的制造方法包括：将催化线加热至规定的温度以上的工序；和在催化线被加热至规定的温度以上之后，导入半导体的材料气体，并且利用加热的催化线分解材料气体，形成半导体膜的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 光敏 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体膜的制造方法，其特征在于，包括：将催化线加热至规定的温度以上的工序；和在所述催化线被加热至所述规定的温度以上之后，导入半导体的材料气体，并且利用加热的所述催化线分解所述材料气体，形成半导体膜的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
