[发明专利]半导体膜的制造方法和光敏元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体膜的制造方法，其特征在于，包括：

导入调压气体调整为半导体膜的形成时的压力的工序；

在利用所述调压气体进行了调压之后，将催化线加热至规定的温 度以上的工序；

在所述催化线被加热至所述规定的温度以上之后，通过将所述调 压气体与半导体的材料气体进行置换导入所述材料气体，并且利用加 热的所述催化线分解所述材料气体，形成所述半导体膜的工序；

在形成所述半导体膜之后，对所述材料气体进行排气的工序；和

在所述材料气体已被排出之后，停止对被加热至所述规定的温度 以上的催化线的加热的工序，

所述调压气体不含所述材料气体。

2.根据权利要求1所述的半导体膜的制造方法，其特征在于：

形成所述半导体膜的工序包括通过在基底上堆积所述已分解的材 料气体，在所述基底上形成所述半导体膜的工序。

3.根据权利要求2所述的半导体膜的制造方法，其特征在于：

所述基底包括非晶硅膜、透光性导电膜或单晶硅基板。

4.根据权利要求2所述的半导体膜的制造方法，其特征在于：

在所述半导体膜的基底是非晶硅的情况下，所述调压气体含有分 压为50％以上的氢。

5.根据权利要求2所述的半导体膜的制造方法，其特征在于：

在所述半导体膜的基底是透明导电膜的情况下，所述调压气体含 有分压为50％以上的非氢气体。

6.根据权利要求1所述的半导体膜的制造方法，其特征在于：

所述调压气体含有氢，

将所述催化线加热至所述规定的温度以上的工序包括：

在导入所述材料气体之前，在利用所述调压气体进行调压时，使 所述催化线的温度处于低于所述规定的温度的状态的工序；和

在利用所述调压气体调压之后，在导入所述材料气体之前将所述 催化线的温度加热至所述规定的温度以上的工序。

7.根据权利要求1所述的半导体膜的制造方法，其特征在于：

所述材料气体包括硅烷气体，

所述规定的温度为1700℃以上。

8.根据权利要求1所述的半导体膜的制造方法，其特征在于：

所述材料气体包括硅烷气体，

所述催化线由通过与硅烷气体接触而形成硅化物的金属构成。

9.一种光敏元件的制造方法，其特征在于，包括：

导入调压气体调整为半导体膜的形成时的压力的工序；

在利用所述调压气体进行了调压之后，将催化线加热至规定的温 度以上的工序；

在将所述催化线加热至所述规定的温度以上之后，通过将所述调 压气体与半导体的材料气体进行置换导入所述材料气体，并且通过加 热的所述催化线分解所述材料气体，形成作为光电转换层起作用的所 述半导体膜的工序；

在形成所述半导体膜之后，对所述材料气体进行排气的工序；和

在所述材料气体已被排出之后，停止对被加热至所述规定的温度 以上的催化线的加热的工序，

所述调压气体不含所述材料气体。

10.根据权利要求9所述的光敏元件的制造方法，其特征在于：

形成所述半导体膜的工序包括通过在基底上堆积所述已分解的材 料气体，在所述基底上形成所述半导体膜的工序。

11.根据权利要求10所述的光敏元件的制造方法，其特征在于：

所述基底包括非晶硅膜、透光性导电膜或单晶硅基板。

12.根据权利要求10所述的光敏元件的制造方法，其特征在于：

在所述半导体膜的基底是非晶硅的情况下，所述调压气体含有分 压为50％以上的氢。

13.根据权利要求10所述的光敏元件的制造方法，其特征在于：

在所述半导体膜的基底是透明导电膜的情况下，所述调压气体含 有分压为50％以上的非氢气体。