[发明专利]半导体膜的制造方法和光敏元件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体膜的制造方法和光敏元件的制造方法，特别涉 及包括利用催化线(触媒腺)分解材料气体而形成半导体膜的工序的 半导体膜的制造方法和光敏元件的制造方法。

背景技术

现有技术中，已知包括利用催化线分解材料气体而形成半导体膜 的工序的半导体膜的制造方法。这种半导体膜的制造方法例如公开在 日本专利第3453214号公报中。

在上述日本专利第3453214号公报中，通过向催化体(催化线) 供给电力，在被加热至材料气体的热分解温度以上的催化体上导入硅 烷(SiH₄)等硅化合物的气体与氢(H₂)等其他物质的气体的混合气 体(材料气体)，从而在硅化合物被分解的同时，在基板的表面上形成 硅膜(半导体膜)。

但是，在上述日本专利第3453214号公报中，没有公开在形成硅 膜(半导体膜)时，开始向催化体(催化线)供给电力(开始加热) 的定时和导入材料气体的定时。此外，一般地，开始加热的定时和导 入材料气体的定时是同时的。在这种情况下，在成膜初期的催化线的 温度直至被加热至硅熔融温度的期间，由于未被充分加热的催化线与 材料气体接触，于是材料气体滞留在催化线上，因此存在在催化线的 表面形成催化线与材料气体的化合物的情况。在这种情况下，该化合 物导致催化线的电阻率产生变化，所以存在难以控制加热催化线时的 催化线的温度的问题。

发明内容

本发明为解决上述问题而提出，本发明的一个目的是提供能够抑 制催化线的温度的控制变得困难的半导体膜的制造方法和光敏元件的 制造方法。

本发明的第一方面的半导体膜的制造方法包括：将催化线加热至 规定的温度以上的工序；和在催化线被加热至规定的温度以上之后， 导入半导体的材料气体，并且利用加热的催化线分解材料气体，形成 半导体膜的工序。

本发明的第二方面的光敏元件的制造方法包括：将催化线加热至 规定的温度以上的工序；和在催化线被加热至规定的温度以上之后， 导入半导体的材料气体，并且利用加热的催化线分解材料气体，形成 作为光电转换层起作用的半导体膜的工序。

附图说明

图1是本发明中使用的催化线CVD装置的概略图。

图2是表示根据本发明制造的薄膜类的光敏元件的截面图。

图3是表示根据本发明制造的异质结型的光敏元件的截面图。

具体实施方式

以下，根据附图对将本发明具体化的实施方式进行说明。

(第一实施方式)

首先，参照图1，对在本发明的第一实施方式的半导体膜的制造中 使用的催化线CVD装置的结构进行说明。

如图1所示，催化线CVD装置包括反应室1、用于向反应室1内 供给材料气体和调压气体的气体供给部2、与直流电源3连接的催化线 4、排气阀5、用于设置形成半导体膜10的基底20的设置部6、和用 于对设置在设置部6的基底20进行加热的加热器7。

催化线4由钨(W)构成。此外，催化线4采用通过直流电源3 通电而被加热的结构。此外，反应室1内的气体能够通过真空泵(未 图示)进行排气，采用通过排气阀5开关排气通路的结构。

接着，参照图1，对本发明的第一实施方式的半导体膜的制造方法 进行说明。其中，在第一实施方式中，说明在基底20上形成作为半导 体膜10的氢化的非晶硅膜的例子。在以下的表1中表示非晶硅膜的制 造条件的一个例子。

【表1】