[发明专利]增强沟道应力的晶体管结构和方法

摘要

本发明的实施例提供了一种通过使用优化的STI应力和氮化物盖层应力来增强沟道应力的结构和方法。更特别地，提供了一种晶体管结构，其包括具有第一晶体管区域和第二晶体管区域的衬底，第二晶体管区域与第一晶体管区域不同。另外，在第一晶体管区域之上提供有第一晶体管，在第二晶体管区域之上提供有第二晶体管，第二晶体管与第一晶体管不同。第一晶体管包括NFET，第二晶体管包括PFET。该结构进一步包括STI区域，该STI区域位于与第一晶体管和第二晶体管的侧面相邻的衬底中，其中STI区域包括应力产生区域。凹陷位于STI区域中的至少两个内，使得所述第一应力衬垫和所述第二应力衬垫至少之一的部分定位在所述凹陷内。

主权项

1.一种晶体管结构，包括：衬底，具有第一晶体管区域和第二晶体管区域，所述第二晶体管区域与所述第一晶体管区域不同；位于所述第一晶体管区域之上的第一晶体管和位于所述第二晶体管区域之上的第二晶体管，所述第二晶体管与所述第一晶体管不同；位于与所述第一晶体管和所述第二晶体管的侧面相邻的所述衬底中的浅沟隔离区域；位于所述浅沟隔离区域的至少两个之内的凹陷，使得被凹陷的所述浅沟隔离区域的顶部位于所述衬底的顶部之下；以及位于所述第一晶体管之上的第一应力衬垫和位于所述第二晶体管之上的第二应力衬垫，所述第二应力衬垫与所述第一应力衬垫不同。