[发明专利]增强沟道应力的晶体管结构和方法

权利要求书

1.一种晶体管结构，包括：

衬底，具有第一晶体管区域和第二晶体管区域，所述第二晶体管区域与所述第一晶体管区域不同；

位于所述第一晶体管区域之上的第一晶体管和位于所述第二晶体管区域之上的第二晶体管，所述第二晶体管与所述第一晶体管不同；

位于与所述第一晶体管和所述第二晶体管的侧面相邻的所述衬底中的浅沟隔离区域；

位于所述浅沟隔离区域的至少两个之内的凹陷，使得被凹陷的所述浅沟隔离区域的顶部位于所述衬底的顶部之下；以及

位于所述第一晶体管之上的第一应力衬垫和位于所述第二晶体管之上的第二应力衬垫，所述第二应力衬垫与所述第一应力衬垫不同。

2.根据权利要求1所述的晶体管结构，其中所有所述浅沟隔离区域都凹陷。

3.根据权利要求1所述的晶体管结构，其中所述第一晶体管包括N型场效应晶体管(NFET)，所述第二晶体管包括P型场效应晶体管(PFET)。

4.根据权利要求1所述的晶体管结构，其中所述第一应力衬垫和所述第二应力衬垫的至少之一的部分定位在所述凹陷内。

5.根据权利要求1所述的晶体管结构，其中所述第一应力衬垫的部分在所述凹陷中与所述第二应力衬垫的部分接触。

6.一种晶体管结构，包括：

衬底，具有第一晶体管区域和第二晶体管区域，所述第二晶体管区域与所述第一晶体管区域不同；

位于所述第一晶体管区域之上的第一晶体管和位于所述第二晶体管区域之上的第二晶体管，所述第二晶体管与所述第一晶体管不同；

位于与所述第一晶体管和所述第二晶体管的侧面相邻的所述衬底中的浅沟隔离区域；

位于所述浅沟隔离区域中的至少两个之内的凹陷，使得被凹陷的所述浅沟隔离区域的顶部位于所述衬底的顶部之下；

位于所述第一晶体管之上的第一应力衬垫和位于所述第二晶体管之上的第二应力衬垫，所述第二应力衬垫与所述第一应力衬垫不同；

其中与所述第一晶体管相邻的所有所述浅沟隔离区域都凹陷；

其中与所述第二晶体管相邻的所述浅沟隔离区域都不凹陷；并且

其中位于所述第一晶体管和所述第二晶体管之间的所有所述浅沟隔离区域都凹陷。

7.根据权利要求6所述的晶体管结构，其中所述浅沟隔离区域包括应力产生区域。

8.根据权利要求6所述的晶体管结构，其中所述第一晶体管包括N型场效应晶体管(NFET)，所述第二晶体管包括P型场效应晶体管(PFET)。

9.根据权利要求6所述的晶体管结构，其中所述第一应力衬垫的部分定位在所述凹陷中。

10.根据权利要求6所述的晶体管结构，其中所述第二应力衬垫的部分不定位在所述凹陷中。

11.一种形成晶体管结构的方法，所述方法包括：

在衬底的第一晶体管区域之上形成第一晶体管以及在所述衬底的第二晶体管区域之上形成第二晶体管；

在与所述第一晶体管和所述第二晶体管的侧面相邻的所述衬底中形成浅沟隔离区域；

使所述浅沟隔离区域中的至少两个凹陷，以使得被凹陷的所述浅沟隔离区域的顶部位于所述衬底的顶部之下；以及

在所述第一晶体管之上形成第一应力衬垫以及在所述第二晶体管之上形成第二应力衬垫，所述第二应力衬垫与所述第一应力衬垫不同。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述凹陷使得所有所述浅沟隔离区域都凹陷。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一晶体管包括N型场效应晶体管(NFET)，所述第二晶体管包括P型场效应晶体管(PFET)。

14.根据权利要求11所述的方法，其中在所述第一应力衬垫和所述第二应力衬垫的形成期间，将所述第一应力衬垫和所述第二应力衬垫至少之一的部分定位在所述凹陷内。

15.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一应力衬垫和所述第二应力衬垫的所述形成包括形成所述第一应力衬垫和所述第二应力衬垫以使得所述第一应力衬垫的部分在所述凹陷内与所述第二应力衬垫的部分接触。