[发明专利]关联双取样电路及其相关的影像感测器

摘要

本发明是关于一种关联双取样电路及其相关的影像感测器，用来对影像感测器的一行像素所输出的重置信号及光感测信号进行取样，其包含有2个取样电容及4个晶体管开关。所述关联双取样电路的取样电容在操作上不需进行极性的转换，因此其可以利用单位面积电容值较高的MOS电容来实现，以减少取样时所产生的热噪声。同时，所述关联双取样电路的架构使用了较少的晶体管开关，因此切换开关时所引入的电荷注入噪声亦可大幅地被减少。

主权项

1.一种互补金氧半导体影像感测器，其特征在于，所述互补金氧半导体影像感测器包含有：一像素阵列，包含有多个排列成矩阵形式的像素感测器，每一像素感测器用来感测入射光强度，并依序输出重置信号及光感测信号；以及多个关联双取样电路，分别耦接于所述像素阵列中的一行，用来对该行所输出的所述重置信号及所述光感测信号进行取样，所述多个关联双取样电路的每一关联双取样单元包含有：一信号输入端，用来接收所述重置信号及所述光感测信号；一第一取样电容，具有第一端及第二端，所述第二端耦接于参考电压端；一第二取样电容，具有第一端及第二端，所述第二端耦接于所述参考电压端；一第一开关，耦接于所述信号输入端与所述第一取样电容的所述第一端之间，用来于第一阶段将所述第一取样电容耦接至所述信号输入端，以使所述第一取样电容取样所述重置信号的电压；一第二开关，耦接于所述信号输入端与所述第二取样电容的所述第一端之间，用来于第二阶段将所述第二取样电容耦接至所述信号输入端，以使所述第二取样电容取样所述光感测信号的电压；一第三开关，耦接于所述第一取样电容的所述第一端，用来于第三阶段将所述第一取样电容耦接至第一信号输出端，以使所述第一取样电容所取样的电压输出至所述第一信号输出端；以及一第四开关，耦接于所述第二取样电容的所述第一端，用来于所述第三阶段将所述第二取样电容耦接至第二信号输出端，以使所述第二取样电容所取样的电压输出至所述第二信号输出端；其中，所述第一信号输出端及所述第二信号输出端是后级缓冲放大电路的差动输入端。