[发明专利]关联双取样电路及其相关的影像感测器

权利要求书

1.一种互补金氧半导体影像感测器，其特征在于，所述互补金氧半导体影像感测器包含有：

一像素阵列，包含有多个排列成矩阵形式的像素感测器，每一像素感测器用来感测入射光强度，并依序输出重置信号及光感测信号；以及

多个关联双取样电路，分别耦接于所述像素阵列中的一行，用来对该行所输出的所述重置信号及所述光感测信号进行取样，所述多个关联双取样电路的每一关联双取样单元包含有：

一信号输入端，用来接收所述重置信号及所述光感测信号；

一第一取样电容，具有第一端及第二端，所述第二端耦接于参考电压端；

一第二取样电容，具有第一端及第二端，所述第二端耦接于所述参考电压端；

一第一开关，耦接于所述信号输入端与所述第一取样电容的所述第一端之间，用来于第一阶段将所述第一取样电容耦接至所述信号输入端，以使所述第一取样电容取样所述重置信号的电压；

一第二开关，耦接于所述信号输入端与所述第二取样电容的所述第一端之间，用来于第二阶段将所述第二取样电容耦接至所述信号输入端，以使所述第二取样电容取样所述光感测信号的电压；

一第三开关，耦接于所述第一取样电容的所述第一端，用来于第三阶段将所述第一取样电容耦接至第一信号输出端，以使所述第一取样电容所取样的电压输出至所述第一信号输出端；以及

一第四开关，耦接于所述第二取样电容的所述第一端，用来于所述第三阶段将所述第二取样电容耦接至第二信号输出端，以使所述第二取样电容所取样的电压输出至所述第二信号输出端；

其中，所述第一信号输出端及所述第二信号输出端是后级缓冲放大电路的差动输入端。

2.如权利要求1所述的互补金氧半导体影像感测器，其中所述第一开关及所述第二开关分别受控于一第一时脉信号及一第二时脉信号，所述第三开关及所述第四开关同时受控于一第三时脉信号，所述第一时脉信号、所述第二时脉信号及所述第三时脉信号是非重叠相位时脉信号。

3.如权利要求1所述的互补金氧半导体影像感测器，其中所述后级缓冲放大电路是一减法电路。

4.如权利要求1所述的互补金氧半导体影像感测器，其中所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关及所述第四开关是MOS晶体管开关。

5.如权利要求1所述的互补金氧半导体影像感测器，其中所述第一取样电容及所述第二取样电容是MOS电容。

6.如权利要求1所述的互补金氧半导体影像感测器，其中所述第一取样电容及所述第二取样电容是多晶硅—绝缘体—多晶硅电容。

7.如权利要求1所述的互补金氧半导体影像感测器，其中所述第一取样电容及所述第二取样电容是金属—绝缘体—金属电容。

8.如权利要求1所述的互补金氧半导体影像感测器，其中所述参考电压端是一地端。

9.一种用于影像感测器的关联双取样电路，用来对所述影像感测器的一行像素所输出的重置信号及光感测信号进行取样，所述关联双取样电路包含有：

一信号输入端，用来于接收所述重置信号及所述光感测信号；

一第一取样电容，具有第一端及第二端，所述第二端耦接于参考电压端；

一第二取样电容，具有第一端及第二端，所述第二端耦接于所述参考电压端；

一第一开关，耦接于所述信号输入端与所述第一取样电容的所述第一端之间，用来于第一阶段将所述第一取样电容耦接至所述信号输入端，以使所述第一取样电容取样所述重置信号的电压；

一第二开关，耦接于所述信号输入端与所述第二取样电容的所述第一端之间，用来于第二阶段将所述第二取样电容耦接至所述信号输入端，以使所述第二取样电容取样所述光感测信号的电压；

一第三开关，耦接于所述第一取样电容的所述第一端，用来于第三阶段将所述第一取样电容耦接至第一信号输出端，以使所述第一取样电容所取样的电压输出至所述第一信号输出端；以及

一第四开关，耦接于所述第二取样电容的所述第一端，用来于所述第三阶段将所述第二取样电容耦接至第二信号输出端，以使所述第二取样电容所取样的电压输出至所述第二信号输出端；

其中，所述第一信号输出端及所述第二信号输出端是后级缓冲放大电路的差动输入端。