[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200810086421.5 | 申请日： | 2008-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101266954A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 杉山荣二;道前芳隆;大谷久;鹤目卓也 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L23/28 | 分类号： | H01L23/28;H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56;H01L21/50;H01L21/60;G06K19/077 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种即使在从外部受到局部施加的压力时也不容易损坏的半导体装置及其制造方法。另外，本发明还提供高成品率地制造即使受到来自外部的局部推压也不损坏的可靠性高的半导体装置的方法。在包括使用单晶半导体区域所形成的半导体元件的元件衬底上，设置将有机树脂浸渗在有机化合物或无机化合物的高强度纤维中而构成的结构体，并且进行加热和压接，从而制造固定有将有机树脂浸渗在有机化合物或无机化合物的高强度纤维中而构成的结构体、以及元件衬底的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体元件；以及包括纤维体和有机树脂且其厚度为10μm以上且100μm以下的密封层，所述纤维体浸渗有所述有机树脂，其中，所述密封层至少固定在所述半导体元件的一个表面上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810086421.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
