[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200810086421.5 | 申请日： | 2008-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101266954A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 杉山荣二;道前芳隆;大谷久;鹤目卓也 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L23/28 | 分类号： | H01L23/28;H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56;H01L21/50;H01L21/60;G06K19/077 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，
包括：
半导体元件；以及
包括纤维体和有机树脂且其厚度为10μm以上且100μm以下的密封层，所述纤维体浸渗有所述有机树脂，
其中，所述密封层至少固定在所述半导体元件的一个表面上。
2.如权利要求1中所述的半导体装置，其特征在于，
所述纤维体是织物和无纺织物中的一种。
3.如权利要求1中所述的半导体装置，其特征在于，
所述有机树脂包含热固化树脂和热可塑性树脂中的一种。
4.如权利要求3中所述的半导体装置，其特征在于，
所述热固化树脂是环氧树脂、不饱和聚酯树脂、聚酰亚胺树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂和氰酸酯树脂中的一种。
5.如权利要求3中所述的半导体装置，其特征在于，
所述热可塑性树脂是聚苯醚树脂、聚醚酰亚胺树脂和氟树脂中的一种。
6.如权利要求1中所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体元件是MOS晶体管、非易失性存储元件、以及二极管中的一种或多种。
7.如权利要求1中所述的半导体装置，其特征在于，
还包括位于所述半导体元件和所述密封层之间的天线，且所述天线与所述半导体元件电连接。
8.一种半导体装置，其特征在于，
包括：
包括有源元件和绝缘层且其厚度为1μm以上且80μm以下的元件衬底，所述有源元件由单晶半导体衬底和SOI衬底中的一种来形成，并且用所述绝缘层覆盖所述有源元件；以及
包括纤维体和有机树脂且其厚度为10μm以上且100μm以下的密封层，并且所述纤维体中浸渗有所述有机树脂，
其中，所述密封层至少固定在所述元件衬底的一个表面上。
9.如权利要求8中所述的半导体装置，其特征在于，
所述纤维体是织物和无纺织物中的一种。
10.如权利要求8中所述的半导体装置，其特征在于，
所述有机树脂包含热固化树脂和热可塑性树脂中的一种。
11.如权利要求10中所述的半导体装置，其特征在于，
所述热固化树脂是环氧树脂、不饱和聚酯树脂、聚酰亚胺树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂和氰酸酯树脂中的一种。
12.如权利要求10中所述的半导体装置，其特征在于，
所述热可塑性树脂是聚苯醚树脂、聚醚酰亚胺树脂和氟树脂中的一种。
13.如权利要求8中所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体元件是MOS晶体管、非易失性存储元件、以及二极管中的一种或多种。
14.如权利要求8中所述的半导体装置，其特征在于，
还包括位于所述元件衬底和所述密封层之间的天线，且所述天线与所述元件衬底的有源元件电连接。
15.一种半导体装置，其特征在于，
包括：
包括有源元件和绝缘层且其厚度为1μm以上且80μm以下的元件衬底，所述有源元件由单晶半导体衬底和SOI衬底中的一种来形成，并且用所述绝缘层覆盖所述有源元件；以及
包括纤维体和有机树脂且其厚度为10μm以上且100μm以下的密封层，并且所述纤维体中浸渗有所述有机树脂且具有各由多个单线束所形成的多个经线及多个纬线，
其中，所述密封层至少固定在所述元件衬底的一个表面上。
16.如权利要求15中所述的半导体装置，其特征在于，
所述纤维体是织物和无纺织物中的一种。
17.如权利要求15中所述的半导体装置，其特征在于，
所述多个经线之间的距离和所述多个纬线之间的距离分别是在0.01mm以上且0.2mm以下。
18.如权利要求15中所述的半导体装置，其特征在于，
所述有机树脂包含热固化树脂和热可塑性树脂中的一种。
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