[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种包括使用单晶半导体衬底或SOI衬底所形成的半导体元件的半导体装置及其制造方法。

背景技术

近年来，在成品小型化领域中，无线芯片、传感器等各种装置的薄型化成为重要的要素，并且其技术和应用范围急速地发展着。由于这些薄型化了的各种装置在某种程度上具有柔性，所以可以设置在弯曲物体上来使用。

另外，在专利文献1中揭示了将尺寸为0.5mm以下的半导体芯片嵌入纸或薄膜状介质中，从而改善了弯曲性和集中载荷的半导体装置。

[专利文献1]日本专利特开2004-78991号公报

然而，将天线安装在芯片(片装化)的半导体装置具有如下问题，即如果芯片的尺寸较小，则天线的尺寸变小而使通信距离变短。另外，当将设置在纸或薄膜介质中的天线与芯片连接以制造半导体装置的情况时，如果芯片的尺寸较小，则产生连接不良，成品率下降。

发明内容

于是，本发明提供一种即使局部受到来自外部的压力也不容易损坏的半导体装置。另外，提供一种高成品率地制造即使局部受到来自外部的推压也不损坏的可靠性高的半导体装置的方法。

本发明的特征在于：在具有使用单晶半导体衬底或SOI衬底而形成的半导体元件的元件衬底上，设置在将有机树脂浸渗在有机化合物或无机化合物的纤维体中而构成的结构体，并且通过进行加热压接，从而制造一种半导体装置，在该半导体装置中固定有将有机树脂浸渗在有机化合物或无机化合物的纤维体中而构成的结构体、以及元件衬底。

另外，本发明的特征在于：形成具有使用单晶半导体衬底或SOI衬底所形成的半导体元件的元件衬底，在元件衬底上设置将有机树脂浸渗在有机化合物或无机化合物的纤维体中而构成的结构体，并且通过进行加热压接，从而在元件衬底上形成将有机树脂浸渗在有机化合物或无机化合物的纤维体中而构成的密封层，从剥离层剥离元件衬底以制造半导体装置。

另外，本发明的半导体装置是包括：具有使用单晶半导体衬底或SOI衬底所形成的半导体元件的元件衬底，以及与元件衬底接触且使局部推压缓和的密封层的半导体装置。另外，有机树脂固定元件衬底和纤维体，并且浸渗在纤维体中。

另外，本发明的半导体装置是包括：具有使用单晶半导体衬底或SOI衬底所形成的半导体元件的元件衬底，有机化合物或无机化合物的纤维体，以及固定元件衬底和纤维体的有机树脂的半导体装置。另外，有机树脂固定元件衬底和纤维体，并且浸渗在纤维体中。

另外，本发明的半导体装置是包括：具有使用单晶半导体衬底或SOI衬底所形成的半导体元件的元件衬底，以及包含有机化合物或无机化合物的纤维体和浸渗在纤维体中的有机树脂的密封层的半导体装置。

元件衬底的厚度一般选为1μm以上且80μm以下，选为1μm以上且50μm以下较好，选为1μm以上且20μm以下更好，选为1μm以上且10μm以下更好，选为1μm以上且5μm以下最好。另外，密封层的厚度最好选为10μm以上且100μm以下。通过采用这种厚度，可以制造能够弯曲的半导体装置。

作为纤维体，是使用有机化合物或无机化合物的高强度纤维而构成的织造布或无纺布。作为高强度纤维，具体为拉伸弹性模量高的纤维。或者是杨氏模量高的纤维。

另外，作为有机树脂，可以使用热可塑性树脂或热固化树脂。

通过采用高强度纤维来作为纤维体，即使在对半导体装置局部地施加推压时，该压力会分散到纤维体整体上，从而可以防止半导体装置的一部分延伸。换而言之，可以防止伴随部分延伸而产生的布线、半导体元件等的损坏。

通过本发明，可以制造一种即使局部受到来自外部的压力也不容易损坏、且可靠性高、成品率高的半导体装置。

附图说明

图1是说明本发明的半导体装置的截面图。

图2是说明本发明的半导体装置的制造方法的截面图。

图3是说明本发明的半导体装置的制造方法的截面图。

图4是说明本发明的半导体装置的制造方法的截面图。

图5是说明本发明的半导体装置的制造方法的截面图。

图6是说明本发明的半导体装置的制造方法的截面图。

图7是说明本发明的半导体装置的制造方法的截面图。

图8是说明能够应用到本发明中的纤维体的俯视图。

图9是说明能够应用到本发明中的天线的俯视图。

图10是说明本发明的半导体装置的立体图以及截面图。

图11是说明本发明的半导体装置的图。

图12是说明本发明的半导体装置的应用例子的立体图。

图13是说明本发明的半导体装置的图。