[发明专利]半导体装置及其形成方法无效
| 申请号： | 200810083007.9 | 申请日： | 2008-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN101540315A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 丁世汎;黄正同;李坤宪;洪文瀚;吴孟益;郑礼贤;石忠民;郑子铭;吴劲昌;沈泽民 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/092;H01L27/12;H01L21/82;H01L21/762;H01L21/8238;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置及其形成方法，该半导体装置包含其上定义有有源区域的衬底、位于衬底上并直接包围有源区域的浅沟槽隔离、位于有源区域上的栅极、源极与漏极以及位于浅沟槽隔离与有源区域交界处的上方的硬掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包含：衬底，其上定义有第一有源区域；第一浅沟槽隔离，位于该衬底上并直接包围该第一有源区域；第一栅极，位于该第一有源区域上；第一源极，位于该第一栅极的一侧的该第一有源区域中；第一漏极，位于该第一栅极的另一侧的该第一有源区域中；以及硬掩模，位于该第一浅沟槽隔离与该第一有源区域交界处的上方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810083007.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：飞行器舵机非舵偏负载力矩跟踪机构
- 下一篇：半导体晶片封装体及其封装方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
