[发明专利]半导体装置及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包含：

衬底，其上定义有第一有源区域；

第一浅沟槽隔离，位于该衬底上并直接包围该第一有源区域；

第一栅极，位于该第一有源区域上；

第一源极，位于该第一栅极的一侧的该第一有源区域中并由外延层形成，该外延层取代所述衬底的相应部分；

第一漏极，位于该第一栅极的另一侧的该第一有源区域中并由外延层形成，该外延层取代所述衬底的相应部分；以及

硬掩模，位于该第一浅沟槽隔离与该第一有源区域交界处的上方。

2.如权利要求1的半导体装置，其中该硬掩模为矩形并沿该第一浅沟槽隔离与该第一有源区域的交界处延伸。

3.如权利要求1的半导体装置，其中该硬掩模为ㄇ字形并覆盖该第一浅沟槽隔离与该第一有源区域的至少一边角。

4.如权利要求1的半导体装置，进一步包含第二有源区域、环绕该第二有源区域的第二浅沟槽隔离以及设于该第二有源区域中包含第二栅极的第二金属氧化物半导体，其中该第一浅沟槽隔离、该第一栅极、该第一源极以及该第一漏极一起形成PMOS且该第二金属氧化物半导体为NMOS。

5.如权利要求1的半导体装置，其中该硬掩模与该第一栅极电连接。

6.如权利要求4的半导体装置，其中该硬掩模与该第二栅极电连接。

7.如权利要求4的半导体装置，其中该第一浅沟槽隔离与该第二浅沟槽隔离相对于该衬底表面等高。

8.如权利要求1的半导体装置，其中该硬掩模的位置符合特数学计算的规则。

9.如权利要求1的半导体装置，其中该硬掩模包含伪栅极与间隙壁。

10.如权利要求4的半导体装置，其中该硬掩模的宽度较该第一栅极与该第二栅极中的至少一者不同。

11.一种形成半导体的方法，包含：

提供衬底，该衬底定义第一有源区域以及直接包围该第一有源区域的第一浅沟槽隔离；

形成第一栅极，其位于该第一有源区域上；

形成硬掩模，其位于该第一浅沟槽隔离与该第一有源区域交界处的上方；以及

以外延层形成第一源极与第一漏极，分别位于该第一栅极的一侧，该外延层取代所述衬底的相应部分。

12.如权利要求11的方法，其中该硬掩模为矩形，并沿该第一浅沟槽隔离与该第一有源区域的交界处延伸。

13.如权利要求11的方法，其中该硬掩模为ㄇ字形，并覆盖该第一浅沟槽隔离与该第一有源区域的至少一边角。

14.如权利要求11的方法，进一步包含：

形成第二有源区域、环绕该第二有源区域的第二浅沟槽隔离以及位于该第二有源区域中包含第二栅极的第二金属氧化物半导体，使得该第一浅沟槽隔离、该第一栅极、该第一源极以及该第一漏极一起形成PMOS且该第二金属氧化物半导体形成NMOS。

15.如权利要求11的方法，其中该硬掩模与该第一栅极电连接。

16.如权利要求14的方法，其中该硬掩模与该第二栅极电连接。

17.如权利要求14的方法，其中该第一浅沟槽隔离与该第二浅沟槽隔离相对于该衬底表面等高。

18.如权利要求11的方法，进一步包含：

使用特数学计算以决定该硬掩模的位置。

19.如权利要求11的方法，其中该硬掩模包含伪栅极与间隙壁。

20.如权利要求14的方法，其中该硬掩模的宽度较该第一栅极与该第二栅极中的至少一者不同。