[发明专利]绝缘膜材料、多层互连结构及其制造方法和半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种绝缘膜材料，其适用于形成介电常数低且耐损性(例如抗蚀性和液体试剂抗性)优异的绝缘膜，还提供一种减少了互连间的寄生电容的多层互连结构，还提供一种有效制造多层互连结构的方法，以及一种有效制造高速和可靠性高的半导体器件的方法。所述绝缘膜材料至少包含由上述结构式(1)表示的立体结构的硅化合物，其中，R¹、R²、R³和R⁴可以相同或不同，且其中至少一个表示含有烃和不饱和烃中任何一种的官能团。

主权项

1.一种绝缘膜材料，其包括：由下述结构式(1)表示的立体结构的硅化合物：结构式(1)其中，R¹、R²、R³和R⁴相同或不同，且，R¹、R²、R³和R⁴中至少一个表示包括烃和不饱和烃中任何一种的官能团。