[发明专利]绝缘膜材料、多层互连结构及其制造方法和半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种绝缘膜材料，其包括：

由下述结构式(1)表示的立体结构的硅化合物：

结构式(1)

其中，R¹、R²、R³和R⁴相同或不同，且，R¹、R²、R³和R⁴中至少一个表示包括烃和不饱和烃中任何一种的官能团。

2.根据权利要求1所述的绝缘膜材料，其中所述结构式(1)中的R¹、R²、R³和R⁴分别至少表示亚烷基、亚烯基、亚炔基、亚环烷基、亚芳基、亚芳烷基、羰基和杂环基中任何一种，其中上述基团任选被取代。

3.根据权利要求2所述的绝缘膜材料，其中所述结构式(1)中的R¹、R²、R³和R⁴分别至少表示亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚苯基、乙炔基、乙炔撑和乙烯撑中任何一种。

4.根据权利要求1所述的绝缘膜材料，其中所述硅化合物的重均分子量为200～50,000。

5.根据权利要求2所述的绝缘膜材料，其中所述硅化合物的重均分子量为200～50,000。

6.根据权利要求3所述的绝缘膜材料，其中所述硅化合物的重均分子量为200～50,000。

7.一种多层互连结构，其包括：

互连层；和

层间绝缘膜，其由绝缘膜材料形成；

其中，所述绝缘膜材料包括由下述结构式(1)表示的立体结构的硅化合物：

结构式(1)

其中，R¹、R²、R³和R⁴相同或不同，且，R¹、R²、R³和R⁴中至少一个表示包括烃和不饱和烃中任何一种的官能团。

8.根据权利要求7所述的多层互连结构，其中所述层间绝缘膜通过X射线光电子能谱测得其中的C/O原子比例为0.2～5.0。

9.根据权利要求7所述的多层互连结构，其中

包含由绝缘膜材料形成的绝缘膜作为蚀刻停止膜，且其中

所述绝缘膜材料包括由下述结构式(1)表示的立体结构的硅化合物：

结构式(1)

其中，R¹、R²、R³和R⁴相同或不同，且，R¹、R²、R³和R⁴中至少一个表示包括烃和不饱和烃中任何一种的官能团。

10.根据权利要求9所述的多层互连结构，其中所述蚀刻停止膜通过X射线光电子能谱测得其中的C/O原子比例为0.2～5.0。

11.根据权利要求7所述的多层互连结构，其中

包含由绝缘膜材料形成的绝缘膜作为化学机械抛光期间使用的保护膜，且其中

所述绝缘膜材料包括由下述结构式(1)表示的立体结构的硅化合物：

结构式(1)

其中，R¹、R²、R³和R⁴相同或不同，且，R¹、R²、R³和R⁴中至少一个表示包括烃和不饱和烃中任何一种的官能团。

12.根据权利要求11所述的多层互连结构，其中所述保护膜通过X射线光电子能谱测得其中的C/O原子比例为0.2～5.0。

13.根据权利要求7所述的多层互连结构，其中所述层间绝缘膜的孔隙率为10％～80％，且其厚度为2nm～300nm。