[发明专利]半导体零件和制造集成电路芯片的方法无效
| 申请号： | 200810080757.0 | 申请日： | 2000-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101404262A | 公开（公告）日： | 2009-04-08 |
| 发明（设计）人： | 吉良秀彦;马场俊二;海沼则夫;冈田徹;山上高丰;佐佐木康则;小宫山武司;小八重健二;小林弘 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60;H01L21/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郑修哲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体零件，它具有：一主芯片体；以及一蒸发成型的和包覆主芯片体的保护层。还提供了制造集成电路芯片的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 零件 制造 集成电路 芯片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造集成电路芯片的方法，所述的芯片安装在磁头组件上并形成该磁头组件的一部分，该方法具有以下步骤：(a)在晶片的第一和第二表面上形成第一保护层，晶片具有导体凸起设置在其第一表面和与其相对的第二表面中的一个表面上；(b)将具有第一保护层的晶片切割成一组芯片；以及(c)在每个切割的芯片的周边侧面上形成第二保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
