[发明专利]半导体零件和制造集成电路芯片的方法无效
| 申请号: | 200810080757.0 | 申请日: | 2000-04-28 |
| 公开(公告)号: | CN101404262A | 公开(公告)日: | 2009-04-08 |
| 发明(设计)人: | 吉良秀彦;马场俊二;海沼则夫;冈田徹;山上高丰;佐佐木康则;小宫山武司;小八重健二;小林弘 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L21/78 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 郑修哲 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 零件 制造 集成电路 芯片 方法 | ||
本分案申请是基于申请号为00108139.X,申请日为2000年04月28日,发明名称为“磁头组件,磁盘装置,以及连接方法和设备”的中国专利申请的分案申请。更具体地说,本分案申请是基于申请号为200510127050.7,申请日为2000年04月28日,发明名称为“半导体零件和制造集成电路芯片的方法”的中国专利申请的分案申请的再次分案申请。
技术领域
本发明涉及适合磁头组件使用的半导体零件以及制造集成电路芯片的方法。
背景技术
硬盘装置是由具有密封结构的壳体制成。在壳体的内部通常具有硬盘,它以高速转动,还有磁头组件,它安装在支臂的前端,由致动器驱动。磁头组件具有磁头滑动器和磁头集成电路芯片,芯片安装在悬臂上。磁头滑动器具有用薄膜工艺成型的磁头。磁头包括一个感应磁头和一个磁阻磁头。磁头滑动器悬浮在高速转动的硬盘上方,距离为亚微米级。感应磁头用于在硬盘记录信息,而磁阻磁头用于读出硬盘上记录的信息。磁头集成电路芯片具有的功能是处理磁头的输入和/或输出信号,例如放大被磁阻磁头读出的弱信号。
由于磁头滑动器悬浮在高速转动的硬盘上方距离亚微米级,希望防止外来颗粒如灰尘等粘附在硬盘和磁头滑动器上,因为外来颗粒会引起磁头破损。
因此要求制成具有不易产生外来颗粒结构的磁头组件。
图1A示出普通磁头组件的透视图,图1B为图1A所示磁头组件圆圈部分A的剖面图。
在图1A所示的磁头组件10内,磁头滑动器20安装在万向支架部件12上,万向支架部件设置在悬臂11的前端。如图1B所示,磁头集成电路芯片30面向下安装在磁头集成电路安装零件15上,后者位于悬臂11的中部。磁头集成电路芯片30为支承芯片,其主芯片体31由硅制成,为暴露的。
磁头集成电路芯片30通常使用的基片材料为硅和GaAs,它们是脆性的,易于开裂和破碎,因为这些材料具有晶体取向和高的弹性模量,使材料很硬。因此,当芯片遭受外力时,例如当晶片切割为芯片尺寸时,安装芯片操作时,以及安装芯片产生超声连接应力时芯片均可产生外来颗粒(或粉末)。
即使磁头集成电路芯片30在随后的过程中被清洗,但仍不可能清除1微米或更小等级的极细小的外来颗粒。此外,在清洗过程中有可能产生附加的外来颗粒。
由此可见,由于振动或磁盘工作引起的气流使磁头集成电路芯片分散成为外来颗粒时,这些外来颗粒可导致磁头破碎,从而降低磁盘装置的可靠性。
发明内容
因此,本发明的总的目的是提供解决了现有技术上述问题的新型的半导体零件及制造集成电路芯片的方法。
本发明的一个方面是提供了一种半导体零件,它具有主芯片体和蒸发成型的保护层来包覆主芯片体。按照本发明的半导体零件,可以借助设置保护层来防止由集成电路芯片产生外来颗粒。
优选地,主芯片体的部分通过包覆的保护层暴露。
优选地,上述主芯片体具有上表面,下表面和周边侧面,以及它还具有:在主芯片体的下表面上形成的集成电路;在主芯片体的下表面上形成的导体凸起;在主芯片体的下表面上形成的下部充填层,使导体凸起的前端通过下部充填层暴露,上述保护层包覆主芯片体的上表面和周边侧面,以及包覆下部充填层的周边侧面。
本发明的另一方面是提供制造集成电路芯片的方法,该芯片安装在磁头组件上和形成它的部分。该方法具有以下步骤:(a)在晶片的第一和第二表面上形成第一保护层,晶片在位于其相对面的第一和第二表面之一具有导体凸起,(b)将具有第一保护层的晶片切割成一组芯片和(c)在每个切割的芯片的周侧边形成第二保护层;按照本发明的方法,可以制造具有第一和第二保护层的半导体,并得到良好的生产率。
本发明的另一方面是提供一种制造集成电路芯片的方法,该芯片安装在磁头组件上和形成它的部分,该方法具有以下步骤:(a)在晶片的第一表面上形成第一保护层,晶片在位于与第一表面相对的第二表面上具有导体凸起,(b)在晶片粘接在薄膜的状态下,将具有第一保护层的晶片切割成一组芯片,而并不切割薄膜,(c)仅从每个切割的芯片的周边部分分离薄膜,以及(d)在每个芯片上形成第二保护层,其状态是切割芯片的周边部分由薄膜分离。按照本发明的方法可以制造在芯片中部具有第二保护层的半导体零件,并达到良好的生产率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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