[发明专利]新型环境半导体光电子材料β－FeSi2薄膜的制备工艺无效
| 申请号： | 200810068861.8 | 申请日： | 2008-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN101339906A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 谢泉;张晋敏;曾武贤;梁艳;肖清泉 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | H01L21/363 | 分类号： | H01L21/363;H01L31/18;H01L33/00 |
| 代理公司： | 贵阳东圣专利商标事务有限公司 | 代理人： | 徐逸心 |
| 地址： | 550025贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型环境半导体光电子材料β－FeSi2薄膜的制备工艺，涉及一种Fe－Si化合物，首先采用磁控溅射方法在Si基片上沉积一层厚度50－150nm的金属Fe膜，随后在真空退火炉中880－920℃退火12－18小时获得Fe－Si化合物中的半导体相β－FeSi2薄膜，由于采用直流磁控溅射方法，使沉积在Si基片上的Fe膜厚度均匀、工艺简单、成本低，易于制备大面积β－FeSi2薄膜，易于工业化生产，又由于退火时间和温度能严格控制，产品质量稳定，重现性好。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 环境 半导体 光电子 材料 fesi sub 薄膜 制备 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种新型环境半导体光电子材料β-FeSi2薄膜的制备工艺，其特征为首先采用磁控溅射方法在Si基片上沉积一层厚度50-150nm的金属Fe膜，随后在真空退火炉中880-920℃退火12-18小时获得Fe-Si化合物中的半导体相β-FeSi2薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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