[发明专利]新型环境半导体光电子材料β－FeSi2薄膜的制备工艺无效
| 申请号： | 200810068861.8 | 申请日： | 2008-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN101339906A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 谢泉;张晋敏;曾武贤;梁艳;肖清泉 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | H01L21/363 | 分类号： | H01L21/363;H01L31/18;H01L33/00 |
| 代理公司： | 贵阳东圣专利商标事务有限公司 | 代理人： | 徐逸心 |
| 地址： | 550025贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 新型 环境 半导体 光电子 材料 fesi sub 薄膜 制备 工艺 | ||
1.一种新型环境半导体光电子材料β-FeSi2薄膜的制备工艺，其特征为首先采用磁控溅射方法在Si基片上沉积一层厚度50-150nm的金属Fe膜，随后在真空退火炉中880-920℃退火12-18小时获得Fe-Si化合物中的半导体相β-FeSi2薄膜。
2.根据权利要求1所述的新型环境半导体光电子材料β-FeSi2薄膜的制备工艺，其特征是磁控溅射方法，采用直流磁控溅射方法，在溅射仪中，以纯度为99.95％的金属铁作靶材，以Si(100)作基片，在Si(100)基片上沉积一层厚度50-150nm的金属Fe膜，溅射沉积条件：室温下溅射沉积，溅射参数为：背底真空2×10-5Pa，溅射气压1.0-2.5Pa，Ar气流量15-30SCCM，溅射功率80-110W，基片偏压-50V。
3.根据权利要求1或2所述的新型环境半导体光电子材料β-FeSi2薄膜的制备工艺，其特征是将磁控溅射沉积在Si基片上的Fe膜，在真空退火炉中880-920℃退火12-18小时获得Fe-Si化合物中的半导体相β-FeSi2薄膜，退火过程中真空度优于2×10-3Pa。
4.根据权利要求1或权2所述的新型环境半导体光电子材料β-FeSi2薄膜的制备工艺，其特征是用该工艺获得的β-FeSi2薄膜产品。
5.根据权利要求3所述的新型环境半导体光电子材料β-FeSi2薄膜的制备工艺，其特征是用该工艺获得的β-FeSi2薄膜产品。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
