[发明专利]多晶硅薄膜太阳能电池的制造方法有效
| 申请号： | 200810049380.2 | 申请日： | 2008-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101540346A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 高文秀 | 申请（专利权）人： | 高文秀 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0368 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所（普通合伙） | 代理人： | 田小伍 |
| 地址： | 210083*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 多晶硅薄膜太阳能电池制造方法，包括3N级纯度多晶硅片、尤其是3N级纯度高掺杂的具有大晶粒柱状晶的多晶硅片衬底的处理和在衬底上外延形成第一半导体层和第二半导体层步骤、形成接触电极步骤和在第二半导体层上形成一层减反射膜步骤。本发明方法工艺简单、成本低、易于产业化，制造的太阳能电池效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、多晶硅薄膜太阳能电池制造方法，包括在衬底上外延形成第一半导体层和第二半导体层步骤、形成接触电极步骤和在第二半导体层上形成一层减反射膜步骤，其特征在于，衬底选择3N级纯度多晶硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
