[发明专利]多晶硅薄膜太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.多晶硅薄膜太阳能电池制造方法，包括在衬底上外延形成第一半导体层和第二半导体层步骤、形成接触电极步骤和在第二半导体层上形成一层减反射膜步骤，其特征在于，衬底选择3N级纯度多晶硅片，多晶硅片先经高温处理在表面形成杂质耗尽层；多晶硅片高温处理步骤为：把多晶硅片放入反应室中带有射频感应加热线圈的基座上，于1200±20℃加热15±5分钟，与此同时通入氢气。

2.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜太阳能电池制造方法，其特征在于，衬底选择3N级纯度高掺杂的具有大晶粒柱状晶的多晶硅片。

3.根据权利要求1或2所述的多晶硅薄膜太阳能电池制造方法，其特征在于，多晶硅片高温处理后于1150±5℃退火处理10±5分钟。

4.根据权利要求3所述的多晶硅薄膜太阳能电池制造方法，其特征在于，外延形成第一半导体层步骤为：把反应组分硅烷或者三氯硅烷经高纯氢气稀释到体积浓度1％-10％、掺杂组分B₂H₆经高纯氢气稀释到体积浓度1％-5％，分别同时通入反应室于1150℃进行化学气相沉积，沉积至外延层把衬底轻微盖住后停止供料，通氢气至边界层中的杂质排尽，再继续供料沉积至规定厚度。

5.根据权利要求4所述的多晶硅薄膜太阳能电池制造方法，其特征在于，外延形成第二半导体层步骤为：在第一半导体层表面以液态扩散源POCl₃浓度为10¹⁹/cm³于850-900℃扩散形成第二半导体层至规定厚度，形成p-n结。

6.根据权利要求5所述的多晶硅薄膜太阳能电池制造方法，其特征在于，取出带p-n结的多晶硅片清除边缘淀积的杂质，进行减反射膜淀积，再形成太阳能电池接触电极。