[发明专利]存储器内建自测试方法无效
| 申请号： | 200810045810.3 | 申请日： | 2008-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN101339811A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 杨修;唐杜娟 | 申请（专利权）人： | 四川登巅微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/12 | 分类号： | G11C29/12;G11C29/24 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所 | 代理人： | 方强 |
| 地址： | 610041四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了存储器内建自测试方法，其特征在于：首先判断ROM中是否有冗余地址，当有冗余地址时用于存储标准校验码，然后将ROM中的系数文件转化成一定的格式，然后通过设计工具产生自测试逻辑和与ROM对应的标准校验码，最后将标准校验码写入冗余地址并生成新的ROM；本发明可以保证标准校验码和系数都能够通过Mask Change的方式进行相应的简单修改，从而能够重复使用存储器内建自测试进行ROM的损坏测试，而不需要通过重新制作整套Mask的方式修改存放在ROM外的标准校验码，节省了成本和时间，降底了成品的更新换代的难度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 测试 方法 | ||
【主权项】：
1、存储器内建自测试方法，其特征在于：首先判断ROM中是否有冗余地址，当有冗余地址时用于存储标准校验码，然后将ROM中的系数文件转化成一定的格式，然后通过设计工具产生自测试逻辑和与ROM对应的标准校验码，最后将标准校验码写入冗余地址并生成新的ROM。
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