[发明专利]存储器内建自测试方法无效
| 申请号： | 200810045810.3 | 申请日： | 2008-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN101339811A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 杨修;唐杜娟 | 申请（专利权）人： | 四川登巅微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/12 | 分类号： | G11C29/12;G11C29/24 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所 | 代理人： | 方强 |
| 地址： | 610041四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 测试 方法 | ||
【权利要求书】：
1、存储器内建自测试方法，其特征在于：首先判断ROM中是否有冗余地址，当有冗余地址时用于存储标准校验码，然后将ROM中的系数文件转化成一定的格式，然后通过设计工具产生自测试逻辑和与ROM对应的标准校验码，最后将标准校验码写入冗余地址并生成新的ROM。
2、根据权利要求1所述的存储器内建自测试方法，其特征在于：所述一定的格式是转化系数文件用的工具软件需要的格式。
3、根据权利要求2所述的存储器内建自测试方法，其特征在于：所述工具软件转化系数文件时，对只读存储器读写地址的控制描述屏蔽了存储校验码所需冗余读写地址的定义，即在对只读存储器读写地址的控制描述中将最大地址设为只读存储器实际地址与存放标准校验码所占用的地址的差值。
4、根据权利要求1所述的存储器内建自测试方法，其特征在于：所述自测试逻辑就是存储器内建自测试算法电路。
5、根据权利要求1所述的存储器内建自测试方法，其特征在于：所述生成新的ROM是通过存储器产生工具重新生成的。
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