[发明专利]减少芯片焊盘区晶格缺陷形成的方法及相应焊盘形成方法有效
| 申请号： | 200810038383.6 | 申请日： | 2008-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101593711A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 代大全;张校平;傅海林;吴齐 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种减少芯片焊盘区晶格缺陷形成的方法及相应焊盘形成方法，其利用氩气等离子溅射去除导电层构图过程中于该导电层表面形成的一含氟薄层，从而避免了该含氟薄层中氟离子的逸出所致的晶格缺陷的形成，提高了焊盘的导电性与可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 芯片 焊盘区 晶格 缺陷 形成 方法 相应 | ||
【主权项】：
1.一种减少芯片焊盘区晶格缺陷形成的方法，其特征是，利用氩气等离子溅射去除焊盘导电层构图过程中于该导电层表面形成的一含氟薄层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
