[发明专利]减少芯片焊盘区晶格缺陷形成的方法及相应焊盘形成方法有效
| 申请号： | 200810038383.6 | 申请日： | 2008-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101593711A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 代大全;张校平;傅海林;吴齐 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 减少 芯片 焊盘区 晶格 缺陷 形成 方法 相应 | ||
1.一种减少芯片焊盘区晶格缺陷形成的方法，其特征是，利用氩气等离子 溅射去除焊盘导电层构图过程中于该导电层表面形成的一含氟薄层，且利用15 托的氦气实现芯片温度的控制，其中上述氩气等离子溅射的工艺参数如下：
压力：98mT；
上极板功率：300W；
下极板功率：100W；
气体比率：氩气300sccm，氧气20sccm，
其中mT为毫托，sccm为标准毫升/分。
2.根据权利要求1所述的减少芯片焊盘区晶格缺陷形成的方法，其特征是， 其中上述导电层为铝层或者铝合金层。
3.一种芯片焊盘的形成方法，其特征是，包括：
于一芯片衬底上淀积导电层；
于上述导电层上涂覆光刻胶；
对光刻胶进行曝光显影以定义该芯片焊盘图形；
在经曝光显影的光刻胶保护下，等离子刻蚀上述导电层，而完成导电层的 构图；
利用氩气等离子溅射去除上述导电层构图过程中于该导电层表面形成的一 含氟薄层，且利用15托的氦气实现芯片温度的控制，其中该氩气等离子溅射的 工艺参数为：压力：98mT；上极板功率：300W；下极板功率：100W；气体比 率：氩气300sccm，氧气20sccm，其中sccm为标准毫升/分；
去除光刻胶；
于上述导电层上形成保护层。
4.根据权利要求3所述的芯片焊盘的形成方法，其特征是，其中上述导电 层为铝层或者铝合金层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
