[发明专利]减少芯片焊盘区晶格缺陷形成的方法及相应焊盘形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种芯片焊盘(PAD)的形成方法，特别是涉及一种芯片焊盘刻 蚀过程中减少焊盘区晶格缺陷形成的方法。

背景技术

在芯片制程中，往往需要将各个膜层中形成的构件连接在一起以构成一个 完整的半导体器件，或需要将半导体器件与其他电子元件连接起来以构成所需 的电子电路模块；要完成这些连接就需要形成许多的焊盘(PAD)，可以说焊盘 是芯片制程中重要的连接构件。为此，焊盘在导电性与可靠性上具有较高的要 求。故往往采用铝或铝合金来构建其导电层。

然而，现有的焊盘形成工艺中，由于使用了含氟的刻蚀气体来实现焊盘导 电层的构图，故选出的氟离子会与导电层的铝反应而导致焊盘区晶格缺陷的出 现，而晶格缺陷会对焊盘的导电性和可靠性造成负面影响。为此，防止与去除 焊盘区的晶格缺陷显得尤为重要。

现有技术往往采用时间控制的方式来防止晶格缺陷的出现，然而这种控制 时间的方法并不可靠；故现有技术中更多的是于晶格缺陷出现后利用有机溶剂 清洁和等离子溅射等方式将其去除。如此，都没有有效的防止晶格缺陷的出现。

发明内容

本发明的目的在于提供一种减少芯片焊盘区晶格缺陷形成的方法，以于焊 盘形成过程中有效的防止晶格缺陷的出现，提高焊盘的导电性与可靠性。

本发明的另一目的在于提供一种芯片焊盘的形成方法，以有效的防止晶格 缺陷的出现，提高焊盘的导电性与可靠性。

为此，本发明提供一种减少芯片焊盘区晶格缺陷形成的方法，其利用氩气 等离子溅射去除焊盘导电层构图过程中于该导电层表面形成的一含氟薄层。

进一步的，上述氩气等离子溅射的工艺参数如下：

压力：98mT；

上极板功率：300W；

下极板功率：100W；

气体比率：氩气300sccm，氧气20sccm，

其中mT为毫托，sccm为标准毫升/分。

进一步的，上述氩气等离子溅射过程中利用15托的氦气实现芯片温度的控 制。

进一步的，上述导电层为铝层或者铝合金层。

本发明另提供一种芯片焊盘的形成方法，其包括：于一芯片衬底上淀积导 电层；于上述导电层上涂覆光刻胶；对光刻胶进行曝光显影以定义该芯片焊盘 图形；在经曝光显影的光刻胶保护下，等离子刻蚀上述导电层，而完成导电层 的构图；利用氩气等离子溅射去除上述导电层构图过程中于该导电层表面形成 的一含氟薄层；去除光刻胶；于上述导电层上形成保护层。

进一步的，上述氩气等离子溅射的工艺参数如下：

压力：98mT；

上极板功率：300W；

下极板功率：100W；

气体比率：氩气300sccm，氧气20sccm，其中sccm为标准毫升/分。

进一步的，上述氩气等离子溅射过程中利用15托的氦气实现芯片温度的控 制。

进一步的，上述导电层为铝层或者铝合金层。

综上所述，本发明利用氩气等离子溅射去除上述导电层构图过程中于该导 电层表面形成的一含氟薄层，从而避免了该含氟薄层中氟离子的逸出所致的晶 格缺陷的形成，提高焊盘的导电性与可靠性。

附图说明

图1为本发明一实施例所提供的芯片焊盘的形成方法的流程示意图；

图2为未加入氩气等离子溅射步骤所得的焊盘区成分分析图；

图3为加入氩气等离子溅射步骤后所得的焊盘区成分分析图。

具体实施方式

为使本发明的目的、特征更明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施 方式作进一步的说明。

请参考图1，其为本发明一实施例所提供的芯片焊盘的形成方法的流程示意 图。如图所示，该方法于焊盘形成工艺中增加了氩气溅射步骤来去除导电层构 图过程中于该导电层表面形成的含氟薄层，来避免该含氟薄层中氟离子的逸出 所致的晶格缺陷的形成。其具体包括如下步骤：

S1：于芯片衬底上淀积导电层，

其中该导电层通常为铝层或铝合金层；

S2：于导电层上涂覆光刻胶；

S3：对光刻胶进行曝光显影以定义芯片焊盘图形；

S4：在经曝光显影的光刻胶保护下，等离子刻蚀导电层，而完成导电层的 构图；