[发明专利]一种具有离散多晶栅结构的静电保护电路

摘要

本发明提供了一种具有离散多晶栅结构的静电保护电路，该静电保护电路用于保护CMOS集成芯片，它包括具有有源区的静电放电元件，该静电放电元件接在CMOS集成芯片的I/O焊盘与地之间；静电放电元件触发部分的有源区与CMOS集成芯片的I/O焊盘连接，数个离散的多晶栅将所述与CMOS集成芯片的I/O焊盘连接的静电放电元件触发部分的有源区离散成数个MOS管，数个离散的多晶栅浮置。该数个MOS管的漏区和阱之间采用LDD－HALO制作。通过离散多晶栅结构，可有效降低触发部分有源区到阱之间的导通电压，从而降低静电保护电路的触发电压；数个MOS管之间的电阻网络可保护触发部分有源区不受高静电脉冲的损害。

主权项

1、一种具有离散多晶栅结构的静电保护电路，所述静电保护电路用于保护CMOS集成芯片，所述静电保护电路包括具有有源区的静电放电元件，所述静电放电元件接在所述CMOS集成芯片的I/O焊盘与地之间；所述静电放电元件触发部分的有源区与所述CMOS集成芯片的I/O焊盘连接，所述静电放电元件触发部分的有源区制作在阱上，其特征在于，数个离散的多晶栅将所述与CMOS集成芯片的I/O焊盘连接的静电放电元件触发部分的有源区离散成数个MOS管，所述数个离散的多晶栅浮置。