[发明专利]一种具有离散多晶栅结构的静电保护电路

权利要求书

1、一种具有离散多晶栅结构的静电保护电路，所述静电保护电路用于保护CMOS集成芯片，所述静电保护电路包括具有有源区的静电放电元件，所述静电放电元件接在所述CMOS集成芯片的I/O焊盘与地之间；所述静电放电元件触发部分的有源区与所述CMOS集成芯片的I/O焊盘连接，所述静电放电元件触发部分的有源区制作在阱上，其特征在于，数个离散的多晶栅将所述与CMOS集成芯片的I/O焊盘连接的静电放电元件触发部分的有源区离散成数个MOS管，所述数个离散的多晶栅浮置。

2、如权利要求1所述具有离散多晶栅结构的静电保护电路，其特征在于，所述数个MOS管的漏区采用轻掺杂漏工艺制作，对应于MOS管轻掺杂漏区部分的阱采用与所述MOS管漏区反型的晕环注入。

3、如权利要求1所述具有离散多晶栅结构的静电保护电路，其特征在于，所述静电放电元件为长沟道的NMOS管，所述长沟道NMOS管的漏端接所述CMOS集成芯片的I/O焊盘，栅端和源端接地；所述长沟道NMOS管的漏区为所述静电放电元件触发部分的有源区，与所述CMOS集成芯片的I/O焊盘连接，制作在P阱上；所述数个离散的多晶栅将所述长沟道NMOS管的漏区离散为数个NMOS管，所述数个离散的多晶栅浮置。

4、如权利要求3所述具有离散多晶栅结构的静电保护电路，其特征在于，所述数个NMOS管的漏区采用N型轻掺杂漏工艺制作，对应于NMOS管N型轻掺杂漏区部分的P阱采用P型晕环注入。

5、如权利要求1所述具有离散多晶栅结构的静电保护电路，其特征在于，所述静电放电元件为PNPN晶闸管；所述晶闸管制作在N阱上的P端以及N阱引出端与所述CMOS集成芯片I/O焊盘连接，所述晶闸管制作在P阱上N端以及P阱引出端与地连接，所述有源区N⁺连接N阱和P阱；所述晶闸管NPN部分为所述晶闸管放电元件的触发部分，所述连接N阱和P阱的有源区N⁺为所述静电放电元件触发部分的有源区；所述数个离散的多晶栅将所述有源区N⁺离散为数个NMOS管，所述数个离散的多晶栅浮置。

6、如权利要求5所述具有离散多晶栅结构的静电保护电路，其特征在于，所述数个NMOS管的漏区采用N型轻轻掺杂漏工艺制作，对应于NMOS管N型轻掺杂漏区部分的P阱采用P型晕环注入。

7、如权利要求1所述具有离散多晶栅结构的静电保护电路，其特征在于，所述数个离散的多晶栅交错排列，所述数个MOS管之间形成电阻网络。