[发明专利]高度稳定的钼基混合导体致密透氧膜材料及其制备方法和应用

摘要

本发明涉及一种高度稳定的钼基混合导体致密透氧膜材料及其制备方法和应用，该材料是通式为C_1－xC’_xD_1－y－y’D’_y’Mo_yO_3－δ的钙钛矿晶型的复合氧化物，其中δ是氧晶格缺陷数，C、C’为Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Ca、Sr、Ba、La、Y中任意一种元素；D、D’为Sc、Ti、Cr、Mn、Fe、Zn、Al、Zr、Nb、W中任意一种元素；0≤x≤1，0＜y≤1，0≤y’≤1－y。材料的制备采用有机酸络合法，成膜过程采用单轴压法或塑性挤出法，该材料在高温及氢气气氛下具有很好的稳定性，适合在膜反应条件下长时间稳定工作。可用于氧渗透膜、膜催化反应器及固态电化学领域的高度稳定的Mo基混合导体致密透氧膜材料。

主权项

1.一种高度稳定的钼基混合导体致密透氧膜材料，其特征是该材料的通式为C1-xC’xD1-y-y’D’y’MoyO3-δ的钙钛矿晶型的复合氧化物，其中δ是氧晶格缺陷数，C、C’为Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Ca、Sr、Ba、La或Y中任意一种元素，C、C’可以相同，也可以不同；D、D’为Sc、Ti、Cr、Mn、Fe、Zn、Al、Zr、Nb或W中任意一种元素，D、D’可以相同，也可以不同；0≤x≤1，0＜y≤1，0≤y’≤1-y。