[发明专利]高度稳定的钼基混合导体致密透氧膜材料及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 200810024886.8 申请日: 2008-05-12
公开(公告)号: CN101274224A 公开(公告)日: 2008-10-01
发明(设计)人: 金万勤;董学良;徐南平 申请(专利权)人: 南京工业大学
主分类号: B01D71/02 分类号: B01D71/02
代理公司: 南京天华专利代理有限责任公司 代理人: 徐冬涛;袁正英
地址: 210009江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 高度 稳定 混合 导体 致密 透氧膜 材料 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种高度稳定的钼基混合导体致密透氧膜材料,其特征是该材料的通式为C1-xC’xD1-y-y’D’y’MoyO3-δ的钙钛矿晶型的复合氧化物,其中δ是氧晶格缺陷数,C、C’为Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Ca、Sr、Ba、La或Y中任意一种元素,C、C’可以相同,也可以不同;D、D’为Sc、Ti、Cr、Mn、Fe、Zn、Al、Zr、Nb或W中任意一种元素,D、D’可以相同,也可以不同;0≤x≤1,0<y≤1,0≤y’≤1-y。

2.根据权利要求1中所述钼基混合导体致密透氧膜材料,其特征在于0.05≤y≤0.2。

3.一种如权利要求1所述的高度稳定的钼基混合导体致密透氧膜材料的制备方法,其具体步骤如下:

A.将金属元素C、C’、D、D’的盐和钼的盐,或者是和MoO3按照材料的化学计量比溶于多功能团的有机酸中,配成溶液,调节PH值至6-8,加热分解后,将产物焙烧处理,所的产物研磨后得到膜材料;

B.上述膜材料通过单轴压法或塑性挤出法成型制得膜的生坯;膜的生坯在高温炉中升温并烧结后,取出降温,即得膜。

4、根据权利要求3所述的方法,其特征在于所述的步骤A中加热分解温度为150-250℃,产物于800-1000℃焙烧处理5-10小时;研磨后膜材料的粒径为1-5μm;步骤B中烧结升温速率为1-5℃/min,烧结温度为1200-1300℃,烧结时间为5-20小时,降温速率为1-5℃/min,降温至20℃-30℃。

5、根据权利要求3所述的方法,其特征在于所述的多功能团的有机酸为柠檬酸、甘氨酸或者乙二胺四乙酸中的一种或者几种。

6.权利要求1所述钼基混合导体致密透氧膜材料的用途,其特征在于,可用于从含氧混合气中选择性分离氧以及用于烃类的催化部分氧化或CO2高温分解等催化膜反应过程,还可以用于中低温固体氧化物燃料电池的电极材料以及固体电化学传感器。

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