[发明专利]一种低温制备氮化硅粉体材料的方法

摘要

本发明公开了一种低温制备氮化硅粉体材料的方法，本发明以叠氮钠作氮源，以卤硅烷作硅源，在反应釜中加热到250～550℃，使反应物之间发生反应，反应0～5小时后停止加热，自然冷却，然后依次用乙醚、去离子水清洗，以除去残余反应物及反应副产物，然后在60～80℃下烘干3～8小时，得到灰色或黑色粉末，即为氮化硅，再将粉末在空气中加热到750～800℃，氧化除碳，即得到较纯的氮化硅粉体。本发明所得的产品化学稳定性好，产率高，粉体的尺寸在50～200nm之间，具有反应温度低、反应时间短、能耗小、产率高、反应易控制等优点。

主权项

1.一种低温制备氮化硅粉体材料的方法，其特征在于：步骤如下：(1)按叠氮钠中钠原子与卤硅烷中卤素原子的原子比1∶1～1.5∶1进行配料，装入反应釜中，封紧反应釜，将反应釜在加热炉中加热到250～550℃，使反应物之间发生反应，反应0～5小时后停止加热，自然冷却至室温；(2)用乙醚反复清洗、抽滤反应产物，除去残余卤硅烷，至滤液为无色为止；(3)再用去离子水清洗反应产物，除去反应副产物氯化钠，至滤液呈中性；(4)将反应产物在60～80℃温度下烘干3～8小时，得到灰色或黑色粉末；(5)将上述粉末在空气中加热到750～800℃，氧化除碳，即得到Si3N4粉体。