[发明专利]一种低温制备氮化硅粉体材料的方法无效
| 申请号： | 200810015630.0 | 申请日： | 2008-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101259957A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 白玉俊;毕见强;亓永新;朱慧灵;庞林林;王伟礼;韩福东;李少杰 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068 |
| 代理公司： | 济南圣达专利商标事务所 | 代理人： | 张勇 |
| 地址： | 250061山东省济南*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 制备 氮化 硅粉体 材料 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低温制备氮化硅粉体材料的方法，其特征在于：步骤如下：
(1)按叠氮钠中钠原子与卤硅烷中卤素原子的原子比1∶1～1.5∶1进行配料，装入反应釜中，封紧反应釜，将反应釜在加热炉中加热到250～550℃，使反应物之间发生反应，反应0～5小时后停止加热，自然冷却至室温；
(2)用乙醚反复清洗、抽滤反应产物，除去残余卤硅烷，至滤液为无色为止；
(3)再用去离子水清洗反应产物，除去反应副产物氯化钠，至滤液呈中性；
(4)将反应产物在60～80℃温度下烘干3～8小时，得到灰色或黑色粉末；
(5)将上述粉末在空气中加热到750～800℃，氧化除碳，即得到Si3N4粉体。
2.根据权利要求1所述的一种低温制备氮化硅粉体材料的方法，其特征在于：所述步骤(1)中的卤硅烷通式为RnSiX4-n，其中R为烷基或芳香基，X为卤素，n＝1、2、3。
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