[发明专利]CIS系粉末的制作方法及其靶材的制作方法无效
申请号: | 200810007546.4 | 申请日: | 2008-02-27 |
公开(公告)号: | CN101519307A | 公开(公告)日: | 2009-09-02 |
发明(设计)人: | 傅耀贤;黄文启;周邦彦;林世仁 | 申请(专利权)人: | 威奈联合科技股份有限公司 |
主分类号: | C04B35/622 | 分类号: | C04B35/622;C23C14/06;C23C14/34;H01L31/0264 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 戈 泊 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种CIS系粉末的制作方法,包括:在一个含有惰性气体的反应槽内混合一种含有Cu的起始物、一种含有M1的起始物、一种含有M2的起始物及一种嵌合性溶剂,以使该嵌合性溶剂在该反应槽内抽取出所述起始物的阳离子与阴离子,并形成一呈均相的含有Cu、M1与M2的母体。其中,该呈均相的母体经回流后进一步地反应形成含有黄铜矿晶相的粉末,M1是选自下列的元素:In、Ga,或其组合,M2是选自下列的元素:Se、S,或其组合。另外,本发明也提供一种CIS系靶材的制作方法,其是使用前述制作方法所制得的CIS系粉末。 | ||
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【主权项】:
1、一种CIS系粉末的制作方法,其特征在于,CIS系粉末的制作方法包括:在一个含有惰性气体的反应槽内混合一种含有Cu的起始物、一种含有M1的起始物、一种含有M2的起始物及一种嵌合性溶剂,以使该嵌合性溶剂于该反应槽内抽取出所述起始物的阳离子与阴离子,并形成一呈均相的含有Cu、M1与M2的母体;其中,该呈均相的母体经回流后进一步地反应形成含有黄铜矿晶相的粉末,M1是选自下列的元素:In、Ga,或其组合,M2是选自下列的元素:Se、S,或其组合。
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